怀特电子设计
64Mx72同步DRAM
特点
高频= 100 ， 125MHz的
包装：
• 219塑料球栅阵列（ PBGA ） ， 32 x 25mm的
± 3.3V核心和I / O 0.3V电源
完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟周期的边缘
内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度为1,2,4,8或整页
8,192刷新周期
商用，工业和军用温度
范围
组织为64M X 72
重量： W364M72V - XSBX - 待定克典型
W364M72V-XSBX
高级*
好处
66 ％的空间节省
减少了部件数量，从9日至1
减少I / O数量
• 55 ％的I / O减少
减少布线长度，以更低的寄生
电容
适用于喜可靠性的应用
层压板插最佳匹配TCE
概述
在512MByte （ 4.5GB ） SDRAM是高速CMOS ，
动态随机存取，内存使用含9片
512M位。每个芯片内部CON连接gured作为四核
银行的DRAM ，具有同步接口。每个
芯片的134217728位的银行组织为8,192行
通过2048列由8位。
读取和写入访问到SDRAM是突发式;
存取开始在一个选定的位置，并持续一段
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
实际尺寸
怀特电子设计
W364M72V-XSBX
25
32
面积= 800毫米
2
I / O数= 219球
储
- 地区： 66 ％ - I / O数量： 55 ％
分立方案
11.9
11.9
11.9
11.9
11.9
11.9
11.9
11.9
11.9
22.3
54
TSOP
54
TSOP
54
TSOP
54
TSOP
54
TSOP
54
TSOP
54
TSOP
54
TSOP
54
TSOP
面积： 9× 265毫米
2
= 2,385mm
2
2005年1月
第1版
1
I / O数量： 9× 54针= 486针
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