怀特电子设计
密度COMPARISONS
TSOP方法（毫米）
11.9
11.9
11.9
11.9
W3E32M64S-XBX
实际尺寸
W3E32M64S-XBX
22.3
66
TSOP
66
TSOP
66
TSOP
66
TSOP
怀特电子设计
W3E32M64S-XBX
25
S
A
V
I
N
G
S
41%
25
区域
4× 265毫米
2
= 1060mm
2
625mm
2
DQS的边缘，以及与CK的两个边缘。
读取和写入访问到DDR SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置，并继续
对于地点在编程设定的号码
序列。访问开始时的注册
ACTIVE命令，然后接着是读或
写命令。地址位重合注册
与ACTIVE命令用于选择银行
和要访问的行。地址位注册
暗合了读或写命令使用
选择的银行和起始列位置
突发存取。
在DDR SDRAM提供了可编程只读
或写突发的2 ，4或8个位置的长度。自动
预充电功能可被使能，以提供一个自
定时行预充电时的结尾开始了
突发存取。
DDR SDRAM芯片的流水线，多组结构
允许并发操作，从而提供高
有效带宽隐藏行预充电和激活
时间。
自动刷新模式设置，以及一个加电
节能省电模式。
导向;存取开始在一个选定的位置，并继续
对于地点在编程设定的号码
序列。访问开始时的注册
ACTIVE命令，然后接着是读或
写命令。地址位重合注册
在激活命令用于选择银行和
被访问的行（ BA0和BA1选择银行， A0-12
选择行） 。地址位重合注册
用READ或WRITE命令被用来选择
开始为突发访问列位置。
之前的正常运行中， DDR SDRAM，必须
初始化。以下部分提供了详细的
包括设备初始化信息，注册德网络定义，
命令说明和设备操作。
初始化
的DDR SDRAM必须被加电并初始化一个
prede网络斯内德的方式。比其他的操作流程
这些特定网络版可能会导致理解过程把网络斯内德操作。动力
必须FI首先被应用到V
CC
和V
CCQ
同时，与
然后到V
REF
（和系统V
TT
). V
TT
必须施加
经过V
CCQ
为了避免装置的闩锁，并因此可能导致
永久损坏设备。 V
REF
可以应用任何
时间后， V
CCQ
但是预计是名义上一致
随着V
TT
。除CKE ，输入无法识别为有效
直到V
REF
被施加。 CKE是SSTL_2输入，但会
功能说明
读取和写入访问到DDR SDRAM是迸发
2006年7月
第3版
2
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