怀特电子设计
图4 - CAS延迟
T0
CLK
CLK
命令
读
NOP
CL
=
2
的DQ
DQ
NOP
NOP
01
11
W3E32M64S-XSBX
图5 - 扩展模式寄存器
德网络nition
T3n
BA
1
BA
0
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
地址总线
T1
T2
T2n
T3
经营模式
DS
DLL
扩展模式
注册（防爆）
E0
0
DLL
启用
关闭
驱动强度
正常
减少
T0
CLK
CLK
命令
读
T1
T2
T2n
T3
T3n
E1
1
NOP
CL
=
2.5
NOP
NOP
0
1
的DQ
DQ
E12 E11 E10 E9
E8
0
-
E7
0
-
E6
0
-
E5
0
-
E4
0
-
E3
0
-
E2
0
-
E1, E0
有效
-
经营模式
版权所有
版权所有
BURST
长度= 4的情况下，示出
示
额定TAC和名义tDSDQ
数据
过渡
数据
不关心
0
-
0
-
0
-
0
-
1. E14和E13必须是"0 ， 1" ，选择扩展模式寄存器（与基地模式寄存器）
2.不支持QFC ＃函数。
在一个特定的ç一起读或写命令。
该行/列的与该解决的一个预充电
阅读或者是自动进行的写命令
在读或写突发完成。汽车
PRECHARGE是非持久性的，它可以是使能
或每个单独的READ或WRITE命令禁用。
该设备支持并发自动预充电，如果
命令其他银行不中断数据
转移到当前的银行。
自动预充电可以确保预充电是
在一个脉冲串内的最早的有效阶段启动。这
“最早的有效阶段”被确定为如果一个明确的
预充电命令尽早发出
时间，在不违反吨
RAS
（ MIN ）。该用户不得发布
另一个命令，相同的银行，直到预充电
时间（t
RP
）就完成了。
自动刷新
的正常操作期间，自动刷新时
DDR SDRAM，并且类似于CAS先于RAS的
（ CBR ）刷新传统的DRAM 。此命令
是非持久性的，所以必须每次都发出刷新
是必须的。
寻址是由内部刷新生成
控制器。这使得地址位在“不关心”
一个自动重新FRESH命令。每个DDR SDRAM
需要自动刷新周期，平均时间间隔
的7.8125μs （最大值） 。
以允许在调度中提高效率和
任务之间切换时，在绝对一些灵活性
提供刷新的时间间隔。最多8 AUTO
刷新命令可以发布到任何给定的DDR
SDRAM中，这意味着最大的绝对时间间隔
任何自动刷新命令和下之间
自动刷新命令是9× 7.8125μs （ 70.3μs ） 。这
最大绝对间隔，以便未来支持
DLL更新内部的DDR SDRAM受到限制
自动刷新周期，而不允许过度
漂在TAC更新之间。
BURST TERMINATE
该BURST TERMINATE命令用于截断
READ突发（带自动预充电状态）。最
最近注册的READ命令之前，将色同步
TERMINATE命令将被截断。打开的页面
其中读出一阵从遗体终止
开。
2006年7月
启5
8
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WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
