怀特电子设计
W3H32M72E-XSBX
初步*
32M X 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA多芯片封装
特点
数据速率= 667 *， 533 ， 400
包装：
• 208塑料球栅阵列（ PBGA ） ， 18× 20毫米
• 1.0mm间距
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ），每字节
内部，流水线，双数据速率架构
4位预取架构
DLL为DQ和DQS转换与定位
时钟信号
四大银行内部的并发操作
（每DDR2 SDRAM模具）
可编程的突发长度： 4或8
自动刷新和自刷新模式
片上终端（ ODT ）
可调数据 - 输出驱动强度
单1.8V ± 0.1V电源
可编程的CAS等待时间：3， 4，5，或6
Posted CAS附加延迟：0， 1，2， 3或4
写延时=读延时 - 1 * TCK
商用，工业和军用温度
范围
组织为32M X 72
重量： W3H32M72E - XSBX - 2.5克典型
好处
65 ％的空间节省与FPBGA
减少了部件数量
54 ％的I / O减少VS FPBGA
减少布线长度，以更低的寄生
电容
适用于喜可靠性的应用
升级为64M X 72密度（联系工厂
信息）
*本产品正在开发中，没有对外贸易资质网络编辑或特征化，并受
更改，恕不另行通知。
图1 - 密度COMPARISONS
实际尺寸
W3H32M72E-XSBX
11.0
CSP方法（毫米）
11.0
11.0
11.0
11.0
20
19.0
90
FBGA
90
FBGA
90
FBGA
90
FBGA
90
FBGA
怀特电子设计
W3H32M72E-XSBX
18
S
A
V
I
N
G
S
65%
54%
区域
I / O
算
5× 209毫米
2
= 1,045mm
2
5× 90球= 450球
360mm
2
208球
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年2月
第2版
1
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