怀特电子设计
注意事项：
1.运用权力;如果CKE保持在低于0.2 x垂直
CCQ
，输出保持禁用状态。
为了保证ř
TT
（ ODT电阻）是关闭的， VREF必须是有效的和低级别必须
被应用到所述ODT球（所有其他输入可以理解过程把音响定义， I / O和输出
必须小于V
CCQ
在电压斜坡时间，以避免DDR2 SDRAM器件
闭锁） 。至少一种下列两组条件（A或B）的必须
遇见获得稳定的供电状态（稳定供应德网络定义为V
CC
, V
CCQ
,V
REF
和
V
TT
是其最大值和最小值之间作为直流工作说明
条件表） ：
A. （单电源）的V
CC
斜坡电压从300mV的到V
CC
（分钟）必须
时间不超过200毫秒;在V中
CC
斜坡电压， | V
CC
- V
CCQ
| ≤ 0.3V.
一旦电源电压斜坡是完整的（当V
CCQ
十字V
CC
（MIN），直流
工作条件表中特定网络阳离子适用。
• V
CC
, V
CCQ
从单一的电源转换器的输出被驱动
• V
TT
被限制为0.95V MAX
• V
REF
跟踪V
CCQ/2
; V
REF
必须在± 0.3V范围内相对于V
CCQ/2
中
供应斜坡时间。
• V
CCQ
≥ V
REF
随时
B. （多个电源）V
CC
≥ V
CCQ
必须在电源电压保持
斜坡， AC和DC电平，直到电源电压斜坡完成
(V
CCQ
十字V
CC
[ MIN ] ） 。一旦电源电压斜坡完成后， DC
工作条件表中特定网络阳离子适用。
•应用V
CC
之前或同时为V
CCQ
; V
CC
电压斜坡必
被≤ 200毫秒从当V
CC
坡道从300mV的到V
CC
（分钟）
•应用V
CCQ
之前或同时为V
TT
;在V
CCQ
电压斜坡时间
从当V
CC
（MIN） ，实现对当V
CCQ
（ MIN）的实现必须≤
500毫秒;而V
CC
目前正在增加，电流可以从V提供
CC
通过
设备V
CCQ
• V
REF
必须跟踪V
CCQ/2
, V
REF
必须在± 0.3V范围内相对于V
CCQ/2
在电源斜坡时间; V
CCQ
≥ V
REF
必须在任何时候都必须满足
•应用V
TT
;在V
TT
从当V电压斜坡上升时间
CCQ
（MIN） ，实现对
当
VTT
（ MIN ）实现必须不大于500ms的更大
2. CKE使用LVCMOS输入电平之前的状态T0保证的DQ是在高阻
前V器件电
REF
。暂时稳定。状态T0后， CKE需要具有
SSTL_18输入电平。一旦CKE过渡到一个较高的水平，就必须保持高的
在初始化序列的持续时间。
3. PRE =预充电命令， LM = LOAD MODE命令， MR =模式
注册， EMR =扩展模式寄存器， EMR2 =扩展模式寄存器2 ，
EMR3 =扩展的模式寄存器3 ， REF = REFRESH的命令， ACT = ACTIVE
命令， A10 =全部预充电， CODE =所需的模式寄存器的值
（需要空白地址解码） ，有效期 - 任何有效的命令/
地址， RA =行地址，银行地址。
4. DM代表UDM & LDM ， DQS表示， UDQS ， UDQS ＃ ， LDQS ， LDQS ＃ ，
RDQS ， RDQS ＃ ， DQ表示DQ0-71 。
5.对于稳定的电源和时钟（ CK ， CK ＃ ）后至少为200μs的，适用NOP或
DESELECT命令，然后采取CKE高。
6.等待至少为400ns ，然后发出一个预充电所有命令。
7.发出一个LOAD MODE命令的EMR （ 2 ） 。 （发出EMR （ 3 ）命令，
提供低到BA2和BA0 ，并提供高至BA1 ）设置寄存器E7为"0"或
"1 ; "所有其他必须是"0" 。
8.发出LOAD MODE命令的EMR （ 3 ） 。 （发行和EMR （ 3 ）命令，
提供高至BA0 = 1 ， BA1 = 1， BA2 = 0 ），将所有寄存器"0" 。
9.发出一个LOAD MODE命令到电子病历，使DLL。要发出一个CLL
W3H64M72E-XSBX
高级*
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
ENABLE命令提供低到BA1 ， BA2和A0 ;提供高至BA0 。位
E7， E8和E9可以设置为"0"或"1 ; "微米建议将它们设置为"0" 。
问题DLL重置LOAD MODE命令。 200周期时钟输入的是
以锁定该DLL需要。 （要发出一个RESET DLL ，提供高为A8提供
低到BA2 = BA1 = BA0 = 0 ） CKE必须为高电平的整个时间。 。
问题全部预充电命令。
问题的两个或两个以上刷新命令。
发出低一个LOAD MODE命令A8初始化设备操作（即，
编程工作参数，无需重新设定DLL） 。要访问模式
寄存器， BA0 = 0， BA1 = 0， BA 2 = 0 。
发出LOAD MODE命令的EMR通过设置位，使OCD默认
E7， E8和E9为“1 ”，然后将所有其它需要的参数。要访问
扩展模式寄存器， BA 2 = 0， BA1 = 0， BA0 = 1 。
发出LOAD MODE命令的EMR通过设置位，使OCD退出E7 ，
E8和E9为“0 ”，然后将所有其它需要的参数。要访问
扩展模式寄存器， BA 2 = 0， BA1 = 0， BA0 = 1 。
在DDR2 SDRAM现在初始化并准备好正常运行200个时钟
该DLL RESET在TF0后周期。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年3月
第1版
8
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