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W3H64M72E-ESI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: W3H64M72E-ESI
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内容描述: 64M X 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA多芯片封装 [64M x 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA Multi-Chip Package]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 30 页 / 942 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
W3H64M72E-XSBX
高级*
64M X 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA多芯片封装
特点
数据速率= 667 *, 533 , 400
包装:
• 208塑料球栅阵列( PBGA ) , 17× 23毫米
• 1.0mm间距
DDR2的数据传输率= 667 * , 533 , 400
核心供电电压= 1.8V ± 0.1V
I / O电源电压= 1.8V ± 0.1V - ( SSTL_18
兼容)
差分数据选通( DQS , DQS # ),每字节
内部,流水线,双数据速率架构
4位预取架构
DLL为DQ和DQS转换与定位
时钟信号
八个内部银行的并发操作
(每DDR2 SDRAM模具)
可编程的突发长度: 4或8
自动刷新和自刷新模式
片上终端( ODT )
可调数据 - 输出驱动强度
可编程的CAS等待时间:3, 4或5个
Posted CAS附加延迟:0, 1,2, 3或4
写延时=读延时 - 1 *
t
CK
商用,工业和军用温度
范围
组织为64M X 72
重量: W3H64M72E - XSBX - 2.5克典型
好处
63 %的空间节省与FPBGA
减少了部件数量
55 %的I / O减少VS FPBGA
减少布线长度,以更低的寄生
电容
适用于喜可靠性的应用
升级到128M X 72密度(联系工厂
信息)
*本产品正在开发中,没有对外贸易资质网络编辑或特征化,并受
更改或取消,恕不另行通知。
图1 - 密度COMPARISONS
实际尺寸
W3H64M72E-XSBX
11.0
CSP方法(毫米)
11.0
11.0
11.0
11.0
23
19.0
90
FBGA
90
FBGA
90
FBGA
90
FBGA
90
FBGA
怀特电子设计
W3H64M72E-XSBX
17
S
A
V
I
N
G
S
63%
55%
区域
I / O
5× 209毫米
2
= 1,045mm
2
5× 92球= 460球
391mm
2
208球
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2006年3月
第1版
1
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com