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W3H64M72E-ESM 参数 Datasheet PDF下载

W3H64M72E-ESM图片预览
型号: W3H64M72E-ESM
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内容描述: 64M X 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA多芯片封装 [64M x 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA Multi-Chip Package]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 30 页 / 942 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
模式寄存器( MR)
该模式寄存器用来对网络网元的特定连接的C模式
在DDR2 SDRAM中运行。这种去连接nition包括
一个突发长度的选择,突发类型,CL,操作
模式, DLL复位,写恢复和掉电模式,
如图模式寄存器5.内容可以是
通过重新执行LOAD MODE ( LM )命令改变。
如果用户选择要修改的MR的一个子集
变量,所有变量(M0 -M14 )必须被编程
当发出命令。
该模式寄存器通过LM指令编程
(比特BA2 - BA0 = 0,0, 0)和其它位(M12 -M0 )将
保留所存储的信息,直到它再次被编程
或设备断电(除了位M8的,这是
自我清除) 。重新编程模式寄存器
不改变所述存储器阵列的内容,只要它是
正确执行。
在LM命令只能发出(或补发)时,所有
银行在预充电状态(空闲状态),并没有爆发
正在进行中。控制器必须等待特定网络版
时间
t
启动任何后续操作之前, MRD
如ACTIVE命令。违反任一这些
要求将导致unspeci网络编辑操作。
W3H64M72E-XSBX
高级*
图5 - 模式寄存器(MR )的定义
BA1 BA0 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
地址总线
15 14 13 12 11 10
0
1
PD
MR
WR
9
8 7 6 5 4 3 2 1 0
DLL TM CAS#延迟BT突发长度
模式寄存器( MX)
M7莫日
0正常
M12
0
1
PD模式
快速退出
(普通)
缓慢退出
(低功耗)
M8 DLL复位
0
1
No
是的
1
TEST
M2 M1 M0突发长度
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
版权所有
版权所有
4
8
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
M11 M10 M9
写恢复
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
版权所有
2
3
4
5
6
版权所有
版权所有
M6 M5 M4
0
0
M15 M14
0
0
1
0
1
0
1
1
莫日寄存器定义
模式寄存器( MR)
扩展模式寄存器( EMR )
扩展模式寄存器( EMR2 )
扩展模式寄存器( EMR3 )
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
M3
0
1
突发类型
顺序
交错
CAS延迟( CL )
版权所有
版权所有
版权所有
3
4
5
6
版权所有
突发长度
突发长度是德音响由位M0 -M3的定义,如图
5.读取和写入访问的DDR2 SDRAM是
爆为本,与突发长度是可编程
以4个或8 。突发长度对射探测器rmines
柱的位置的,可以是最大数量
访问一个给定的READ或WRITE命令。
当发出一个读或写命令,块
列等于脉冲串长度被有效地选择。
所有的突发起飞的地方访问这个块中,
这意味着将爆裂,如果一个块内包装
边界为止。该块由唯一地选
A2艾当BL = 4和A3艾当BL = 8 (其中
爱是最显着的列地址位为一个给定的
CON组fi guration ) 。剩下的(至少显着的)地址
位(或多个) (是),用于选择内的起始位置
块。编程的突发长度适用于READ
和写突发。
注: 1。不使用这部分
突发类型
一个给定的脉冲串内的访问可以被编程为
无论是连续或交错。突发类型选择
通过比特M3,如示于图5的访问的顺序
在一个脉冲串由脉冲串长度,脉冲串确定
型,并且起始列地址,如表
2. DDR2 SDRAM支持4位突发模式和8位爆
唯一模式。对于8位的脉冲串模式下,充分交织地址
订购支持;然而,连续的地址
排序四位为主。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2006年3月
第1版
9
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