怀特电子设计
W3HG2128M72ACER-AD6
初步*
2GB - 2x128Mx72 DDR2 SDRAM注册瓦特/ PLL ， VLP
特点
240针的双列直插非常低廓（ VLP ）内存
模块
快速数据传输率： PC2-6400 * ， PC2-5300 * ，
PC2-4300和PC2-3200
采用800 ， 667 ， 533和400 Mb / s的DDR2 SDRAM
组件
V
CC
= V
CCQ
= 1.8V
V
CCSPD
= + 1.7V至+ 3.6V
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
四位预取架构
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
多个内部器件银行并发
手术
支持重复的输出选通（ RDQS / RDQS ＃ ）
可编程CAS＃延迟（CL） ： 3 ，4，5和6中
可调节的数据输出驱动强度
片上端接（ ODT ）
发布于CAS＃附加延迟：0， 1，2， 3和4
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
64毫秒： 8,192刷新周期
金缘接触
ECC错误检测和校正
双列
符合RoHS
封装选项
• 240引脚VLP ： 18.29毫米（ 0.720" ） TYP
描述
该W3HG2128M72ACER是2x128Mx72双数据
基于DDR2速率DDR2 SDRAM高密度模块
SDRAM组件。此内存模块由
十八栈256Mx4位与4组DDR2
同步DRAM的FBGA封装，安装在
240针DIMM FR4基板。
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
注：可用性咨询工厂：
•供应商源控制选项
•工业温度选项
•奇偶校验功能
工作频率
PC2-3200
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
*咨询工厂的可用性
PC2-4300
266MHz
4-4-4
PC2-5300*
333MHz
5-5-5
PC2-6400*
400MHz
6-6-6
200MHz
3-3-3
2006年5月
启5
1
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