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W764M32V120SBI 参数 Datasheet PDF下载

W764M32V120SBI图片预览
型号: W764M32V120SBI
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内容描述: 64Mx32闪存多芯片封装的3.0V页模式闪存 [64Mx32 Flash Multi-Chip Package 3.0V Page Mode Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 16 页 / 505 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
概述
该W764MB2V - XSBX设备是3.0V单电源
闪存。该器件采用4编排
33554432字或67 , 108864字节。该装置具有
64比特宽的数据总线,也可以作为一个32位的
通过使用字节#输入宽度的数据总线。该设备可以
可以或者在主机系统或标准编程
EPROM编程器。
每个设备都需要一个单独的3.0伏电源
读取和写入功能。除了为V
CC
输入,
高压加速计划( WP / ACC )输入提供
通过加大电流缩短编程时间。这
功能是为了便于在工厂产量
系统的生产,但也可以在网络连接视场,如果使用
所需。
这些器件完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。命令
使用标准微处理器写入写入器件
时序。写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
扇区擦除架构允许存储部门
可擦除和重新编程,而不影响数据
其他部门的内容。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦编程或擦除操作
已经开始,主机系统只需要轮询DQ7 (数据#
轮询)或DQ6 (切换)状态位或监视就绪/
忙# ( RY / BY# )输出,以确定是否操作
就完成了。为了方便用户进行编程,一个解锁绕道
模式,要求降低命令序列在头上
只有两个写周期编程数据,而不是四个。
在I / O (V
IO
)控制允许主机系统设置
电压等级的设备生成和容忍的
所有的输入电平(地址,芯片控制,和DQ输入电平)
到被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。
这使该器件能够在1.8 V或3 V系统操作
由于所需的环境。
硬件数据保护措施,包括低V
CC
探测器可以自动抑制在写操作
电源转换。持久扇区保护规定
在系统,驾驶室管理功能的保护的任何组合的
用在V单电源供电部门
CC
。密码
W764M32V-XSBX
高级*
扇区保护防止未经授权的写入和擦除
通过用户可在行业的任何组合操作
德网络定义的64位密码。
擦除暂停/删除恢复功能允许主机
系统暂停并删除给定扇区操作
读或写其他部门,然后完成
擦除操作。该计划暂停/恢复计划
功能允许主机系统暂停程序
在一个给定扇区的操作,以读取任何其他扇区和
然后完成该程序的操作。
硬件RESET #引脚终止在任何操作
进度和复位装置,在这之后,然后准备
为一个新的操作。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使主机系统读取开机
科幻固件从闪存设备。
该装置降低了功耗在待机
模式下,检测到CS #特定网络连接直流电压等级和时
RESET# ,或当地址已经稳定了
时间特定网络编辑的时期。
担保硅业提供了一个128的工作/ 256字节
区域代码或数据可以被永久地保护。
一旦这个行业是受保护的,内部没有进一步的变化
扇区可以发生。
写保护( WP # / ACC )功能可以保护网络或RST
最后一个扇区通过产生一个逻辑低电平的WP #引脚。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2006年3月
第2版
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