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W764M32VESSBI 参数 Datasheet PDF下载

W764M32VESSBI图片预览
型号: W764M32VESSBI
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内容描述: 64Mx32闪存多芯片封装的3.0V页模式闪存 [64Mx32 Flash Multi-Chip Package 3.0V Page Mode Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 16 页 / 505 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
64Mx32闪存多芯片封装
3.0V页模式闪存
特点
单电源工作
- 3伏读取,擦除和编程操作
I / O控制
•所有输入电平(地址,控制和DQ输入
电平)和输出由电压确定
V
IO
输入。 V
IO
范围为1.65至V
CC
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久的,安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号,通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或
由客户
灵活的部门架构
•五百强12 64 K字( 128字节)部门
•两百网络FTY- 6 64 K字( 128字节)
扇区
•百28 64 K字( 128字节)
扇区
与JEDEC标准兼容
•为单电软件兼容性
供应FL灰,和优越的意外写
保护
每个部门的典型100,000次擦除周期
20年的数据保存典型
软件特点
W764M32V-XSBX
高级*
•程序挂起和恢复:阅读其他
前编程操作部门
已完成
- 擦除挂起和恢复:读/程序等
擦除操作之前,扇区结束
- 数据#投票和切换位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
• CFI (通用闪存接口)兼容:允许
主机系统,以确定和容纳多个
FL灰设备
硬件特性
- 高级扇区保护
• WP # / ACC输入程序加速
时间(当施加高电压)为更大的
系统在生产过程中的吞吐量。保护
科幻RST或最后一个部门,无论部门保护
设置
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
- 就绪/忙#输出( RY / BY # )检测程序或
擦除周期结束
*本产品正在开发中,是不是对外贸易资质网络编辑或特点,并须
更改或取消,恕不另行通知。
性能特点
高性能
• 100 , 120纳秒
- 8字/ 16字节读出页缓冲器
- 25 ns的页读取时间
- 16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字的更新
封装选项
• 107 BGA , 14毫米x17毫米
• 1.0mm间距
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2006年3月
第2版
1
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com