欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

W7G1M32SVB120BNI 参数 Datasheet PDF下载

W7G1M32SVB120BNI图片预览
型号: W7G1M32SVB120BNI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 8MB / 4MB ( 2x1Mx32 / 1Mx32 ) CMOS ,引导扇区闪存模块 [8MB/4MB (2x1Mx32 / 1Mx32) CMOS, Boot Sector Flash Memory Module]
分类和应用: 闪存内存集成电路
文件页数/大小: 10 页 / 169 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
 浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第9页  
怀特电子设计
W7G1M32SVx-BN
W7G21M32SVx-BN
初步*
8MB / 4MB ( 2x1Mx32 / 1Mx32 ) CMOS ,引导扇区闪存
内存模块
描述
该W7G1M32SVx -BN和W7G21M32SVx -BN是
分别组织为1Mx32之一和两个存储体。
该模块基于AMD的AM29LV160DT - 1Mx16
或STS M29W160ET的TSOP (可选)闪存设备
它们被安装的FR4基板上的包。
这两个模块提供70间120ns的访问时间
允许的高速微处理器的操作
无需等待。
嵌入式擦除算法
- 自动preprograms和擦除芯片
或扇区的任意组合
嵌入式程序算法
- 自动在程序和VERI音响ES数据
特定网络版地址
数据轮询和切换位功能的检测
编程或擦除周期完成
低功耗
•每个器件有源电流30mA
•每个器件CMOS待机电流10μA
单3.3V ± 10 %电源
CMOS和TTL兼容输入和输出
商业和工业工作温度
范围
• BNC = 0 ° C至70 ° C商业级
• BNI = -40 ° C至85°C工业
• 80引脚SIMM ( JEDEC )标准
*本产品正在开发中,是不是对外贸易资质网络编辑或特点,并须
更改,恕不另行通知。
特点
1Mx32和2x1Mx32密度
基于AMD - AM29LV160DT闪存设备
ST的M29W160ET (可选)
快速读取访问时间 - 为70ns
3.3V只有重新编程
灵活的部门架构
•一个16K字节, 2 8K字节, 32K字节1和
31 64K字节扇区。
- 任何部门的结合可以被删除
•同时支持整片擦除
热门引导块CON连接gurations
•底部引导块可选。联系WEDC 。
图。 1 - 方框图
W7G1M32SVx - BN : 1Mx32 80引脚SIMM
WE2#
1Mx16
WE#
DQ0-15
CE#
CE#
ADDR
0-19
W7G21M32SVx - BN : 2x1Mx32 80引脚SIMM
WE2#
1Mx16
WE#
DQ0-15
CE#
CE#
ADDR
0-19
1Mx16
WE#
DQ0-15
1Mx16
WE#
CE#
CE#
ADDR
0-19
DQ16-31
DQ16-31
WE0#
1Mx16
WE#
DQ0-15
CE#
CE#
WE0#
DQ0-15
CE#
CE#
DQ0-15
ADDR
0-19
1Mx16
WE#
DQ0-15
CE#
CE#
DQ0-15
ADDR
0-19
CE0#
CE0#
CE1#
OE #
ADDR
0-19
OE #
地址0-19
地址0-19
2004年2月
第2版
1
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com