欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

WE128K8-250CQ 参数 Datasheet PDF下载

WE128K8-250CQ图片预览
型号: WE128K8-250CQ
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 512Kx8 CMOS EEPROM , WE512K8 - XCX , SMD 5962-93091 [512Kx8 CMOS EEPROM, WE512K8-XCX, SMD 5962-93091]
分类和应用: 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 13 页 / 617 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
 浏览型号WE128K8-250CQ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号WE128K8-250CQ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号WE128K8-250CQ的Datasheet PDF文件第7页浏览型号WE128K8-250CQ的Datasheet PDF文件第8页浏览型号WE128K8-250CQ的Datasheet PDF文件第10页浏览型号WE128K8-250CQ的Datasheet PDF文件第11页浏览型号WE128K8-250CQ的Datasheet PDF文件第12页浏览型号WE128K8-250CQ的Datasheet PDF文件第13页  
怀特电子设计
页写操作
这些设备有一个页面的写操作,允许一个
到64字节的数据( 1至128个字节用于WE512K8 )到
被写入到该设备,然后同时写入
在内部编程周期。连续的字节
可以以相同的方式在网络连接第一个数据之后被加载
字节已被加载。一个内部定时器开始时间
出操作,在每一个写周期。如果另一个写周期
150μs或更短时间内完成时,一个新的超时周期
开始。每个写周期重新启动延迟期。写
作为间隔小于周期可以持续,只要
超时时段。
通常的程序是递增至少显着的
从A地址线
0
至A
5
(A
0
至A
6
对于
WE512K8 )在每一个写周期。在这种方式的一个页
最多64个字节( 128个字节用于WE512K8 )可装
进入开始前的EEPROM在突发模式
比较长的时间间隔编程周期。
之后150μs超时结束时, EEPROM的
开始内部写周期。在这个周期的整
字节的页将被写入的同时。内部
编程周期是一样的,不管有多少
字节访问。
WE512K8 , WE256K8 ,
WE128K8-XCX
页地址必须是相同的每个字节负载
且必须在每个高到低转换是有效的
WE# (或CS # ) 。块地址也必须是相同的
每个字节的负载,并且必须保持有效各地
WE# (或CS # )低脉冲。页和块地址
行总结如下:
页模式特征
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V , -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间, TYP = 6ms的
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
字节负载循环时间
写脉冲宽高
设备
WE512K8-XCX
WE256K8-XCX
WE128K8-XCX
符号
t
WC
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
100
10
150
150
50
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
µs
ns
块地址
A17-A18
A15-A17
A15-A16
页面地址
A7-A16
A6-A14
A6-A14
图9 - 页写入波形
OE #
CS #
WE#
地址(1)
数据
注意:
1.译码地址线必须是有效的写操作的时间。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2000年5月
第1版
9
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com