怀特电子设计
写
当OE ＃高，低脉冲的写周期开始
是在WE ＃或CS ＃与CS ＃或WE ＃低。地址
被锁存， CS ＃或WE ＃的下降沿为准
去年发生。该数据是通过CS ＃的上升沿锁存
或WE ＃ ，先到为准科幻RST 。将字节写操作
自动继续完成。
WE32K32-XXX
从高分到低分的WE ＃线的过渡也将启动
内置150微秒的延迟时间，以允许页面模式
操作。从高分到每个后续WE＃转型
在完成的150微秒的时间之前发生的低
出将重新启动定时器从零。的操作
计时器是一样的可再触发单稳态电路。
写周期时序
图4和图5示出了在写周期的时序关系。
写周期开始地址的应用程序，写使能
和片选。片选是通过将完成
在CS ＃线为低。写使能由设置在WE ＃的
线为低。写周期开始时的最后一个或者CS ＃的
或WE ＃变低。
AC写特性
V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
写周期
写周期参数
写周期时间， TYP = 6ms的
地址建立时间
把脉冲宽度（ WE＃或CS ＃ ）
片选建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片选择保持时间
数据建立时间
写脉冲宽高
输出使能建立时间
输出使能保持时间
-80
符号
民
t
WC
t
AS
t
WP
t
CS
t
AH
t
DH
t
CSH
t
DS
t
WPH
t
OES
t
OEH
0
100
0
50
0
0
50
50
10
10
最大
10
0
100
0
50
0
0
50
50
10
10
民
最大
10
30
150
0
100
10
0
100
50
10
10
民
最大
10
30
150
0
100
10
0
100
50
10
10
民
最大
10
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-90
-120
-150
单位
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年3月
第4版
4
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