怀特电子设计
页写操作
该WE32K32 - XXX有页写操作，使
数据中的一个64字节被写入到器件和
内部编程过程中连续负载
期。连续的字节可以在相同的加载
在网络连接第一个数据字节后的方法已被加载。一
内部定时器开始超时操作在每次写
周期。如果另一个写周期经过150μs内完成
或更少，一个新的超时周期开始。每个写周期
重新启动延迟期。在写周期可以持续
只要间隔小于超时时段。
WE32K32-XXX
通常的程序是递增至少显着的
从A0到A5地址线在每个写周期。在这
方式的最多64个字节的页面可以被加载到
EEPROM在突发模式之前开始比较
长间隔编程周期。
之后150μs超时结束时， EEPROM的
开始内部写周期。在这个周期的整
字节的页将被写入的同时。内部
编程周期是一样的，不管有多少
字节访问。
页写特性
V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
页面模式写特性
参数
写周期时间， TYP = 6ms的
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
字节负载循环时间
写脉冲宽高
符号
t
WC
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
-80
民
50
0
100
150
50
50
最大
10
民
50
0
100
150
50
-90
最大
10
民
100
10
150
150
50
-120
最大
10
民
100
10
150
150
-150
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
µs
ns
图8 - 页写入波形
OE ＃
CS ＃
t
WP
WE＃
t
DS
t
WPH
t
BLC
t
DH
地址（1）
有效
地址
有效数据
数据
BYTE 0
1个字节
2字节
BYTE 3
字节n
BYTE N + 1
t
WC
注意：
1.译码地址线必须是有效的写操作的时间。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年3月
第4版
8
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