怀特电子设计
读
在存储器位置中的WE32K32 -XXX存储数据
由地址引脚决定的。当CS #和OE #
低和WE#为高电平时,这个数据是存在于
输出。当CS #和OE #为高电平时,输出为
一个高阻抗状态。这2线控制防止总线
争。
WE32K32-XXX
AC读取特性(见图6 )
V
CC
= 5.0V , GND = 0V , -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
CS访问时间
输出保持从添加。变化, OE #或CS #
输出使能到输出有效
片选或OE #到输出中高Z
t
RC
t
加
t
ACS
t
OH
t
OE
t
DF
0
40
40
符号
民
80
80
80
0
50
50
-80
最大
民
90
90
90
0
85
70
-90
最大
民
120
120
120
0
85
70
-120
最大
民
150
150
150
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
图6 - 读取波形
t
RC
地址
地址有效
CS #
t
ACS
OE #
t
加
产量
高Z
t
OE
t
DF
t
OH
产量
有效
注意事项:
1. OE #可能会延迟到t
ACS
- t
OE
的CS #而不对T的影响下降沿后
OE
或用t
加
- t
OE
后
地址更改,恕不对T的影响
加
.
2. t
CHZ
, t
OHZ
从OE #或CS #为准科幻RST特定网络版(C
L
= 5pF的) 。
3.所有的I / O转换测量± 200 mV的从稳定状态负载在"Load测试Circuits."特定网络版
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2006年3月
第4版
6
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