怀特电子设计
页写操作
该模块具有一个页写操作,允许一个
数据的128个字被写入到所述设备和
内部编程过程中连续负载
期。连续的字可以在同一个被加载
在网络连接第一个数据字后的方式已经被加载。一
内部定时器开始超时操作在每次写
周期。如果另一个写周期经过150μs内完成
或更少,一个新的超时周期开始。每个写周期
重新启动延迟期。在写周期可以持续
只要间隔小于超时时段。
通常的程序是递增至少显着的
从A地址线
0
至A
6
在每个写周期。在这
方式的多达128个词的页面可以被加载到
EEPROM在突发模式之前开始比较
长间隔编程周期。
之后150μs超时结束时, EEPROM的开始
一个内部写周期。在这个周期的整页
字将被写在相同的时间。内部
编程周期是一样的,不管有多少
字的访问。
WE512K16-XG4X
页写特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V , -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
页面模式写特性
参数
写周期时间, TYP = 6ms的
地址建立时间
地址保持时间( 1 )
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
一句话负载周期时间
写脉冲宽高
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
50
0
50
50
0
100
150
符号
民
最大
10
ms
ns
ns
ns
ns
ns
µs
ns
单位
第1页地址必须保持有效的写周期的持续时间。
图7 - 页模式写波形
OE #
CS #
WE#
t
AS
地址(1)
有效
地址
t
AH
数据
WORD 0
WORD 1
WORD 2
WORD 3
WORD 126
WORD 127
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1999年4月
第2版
7
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