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WE512K16-150G4QA 参数 Datasheet PDF下载

WE512K16-150G4QA图片预览
型号: WE512K16-150G4QA
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内容描述: 512Kx16 CMOS EEPROM模块 [512Kx16 CMOS EEPROM MODULE]
分类和应用: 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 10 页 / 399 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
当OE #高,低脉冲的写周期开始
是在WE #或CS #与CS #或WE #低。地址
被锁存, CS #或WE #的下降沿为准
去年发生。该数据是通过CS #的上升沿锁存
或WE # ,先到为准科幻RST 。将字写操作
自动继续完成。
WE512K16-XG4X
AC写特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V , -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
写周期参数
写周期时间, TYP = 6ms的
地址建立时间
把脉冲宽度( WE#或CS # )
片选建立时间
符号
t
WC
t
AS
t
WP
t
CS
t
AH
t
DH
t
CSH
t
DS
t
OES
t
OEH
t
WPH
10
120
0
100
10
0
100
10
10
50
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期时序
图3和图4示出了在写周期的时序关系。
写周期开始地址的应用程序,写使能
和片选。片选是通过将完成
在CS #线为低。写使能由设置在WE #的
线为低。写周期开始时的最后一个或者CS #的
或WE #变低。
从高分到低分的WE #线的过渡也将启动
内置150微秒的延迟时间,以允许页面模式
操作。从高分到每个后续WE#转型
在完成的150微秒的时间之前发生的低
出将重新启动定时器从零。的操作
计时器是一样的可再触发单稳态电路。
地址保持时间
数据保持时间
芯片选择保持时间
数据建立时间
输出使能建立时间
输出使能保持时间
写脉冲宽高
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
1999年4月
第2版
3
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com