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WE512K16-200G4IA 参数 Datasheet PDF下载

WE512K16-200G4IA图片预览
型号: WE512K16-200G4IA
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内容描述: 512Kx16 CMOS EEPROM模块 [512Kx16 CMOS EEPROM MODULE]
分类和应用: 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 10 页 / 399 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
图9 -
软件块数据保护
禁用算法
(1)
WE512K16-XG4X
软件数据保护
软件写保护功能可以被启用
或由用户禁用。当白运
微电子,该模块的功能禁用。
写访问设备是不受限制的。
为了使软件写保护,用户需要写3
接入码字到三个特殊的内部位置。
一旦写保护已启用,每次写的
EEPROM必须使用相同的3个字写序列
允许写入。设置软件的数据保护功能后,
任何试图写入设备三无字
命令序列将启动内部写定时器。没有
数据将然而,被写入到该设备,对于持续时间
的t
WC
。写保护功能可以通过禁用
对特定网络连接C数据到特定网络℃的六个字写序列
位置。电源转换不会复位软件
写保护。
EEPROM的每个128K字块都有独立的
写保护。可被使能一个或多个块,并
其余禁止以任何组合。该软件写
保护防电时意外写入
转场,或未经授权的改性阳离子连接使用PROM
程序员。
LOAD DATA AAAA
TO
地址5555
LOAD DATA 5555
TO
地址2AAA
LOAD DATA 8080
TO
地址5555
LOAD DATA AAAA
TO
地址5555
LOAD DATA 5555
TO
地址2AAA
LOAD DATA 2020年
TO
地址5555
LOAD DATA XXXX
TO
任何地址
(4)
LOAD硬道理
TO
最后一个地址
EXIT数据
保护国家
(3)
硬件数据保护
这些特性能够防止意外写入
模块。这些都包括在提高可靠性
正常操作:
a)
V
CC
电源ON延迟
为V
CC
爬过去典型的3.8V器件将等待
5毫秒允许写周期前的典型。
b)
c)
V
CC
SENSE
而低于3.8V典型的写周期被禁止。
写抑制
控股OE #低,无论是CS #或WE #高
禁止写入周期。
d)
噪声滤波器
在WE #或CS # <8ns (典型值)的脉冲,将不会启动
一个写周期。
注意事项:
1.数据格式: I / O
15-0
(十六进制) ;
地址格式:一个
16
-A
0
(十六进制) 。
2.写保护状态,将在即使没有其他的写端被激活
数据加载。
3.写保护状态,将在写入期间即使年底停用
没有其他数据加载。
数据4. 1到128的话可能会加载。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
1999年4月
第2版
9
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com