WE512K8-200CQA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WE512K8-200CQA
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内容描述：	512Kx8 CMOS EEPROM ， WE512K8 - XCX ， SMD 5962-93091 [512Kx8 CMOS EEPROM, WE512K8-XCX, SMD 5962-93091]
分类和应用：	内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小：	13 页 / 617 K
品牌：	WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]

怀特电子设计

读

图5示出了读周期的波形。一个读周期开始

与选择地址，片选和输出使能。芯片

选择是通过将CS ＃线为低来完成。产量

能是通过将OE ＃线为低完成。内存

WE512K8 ， WE256K8 ，

WE128K8-XCX

通过I / O7后放置在I / O0所选择的数据字节

访问时间。存储器的输出被放置在高

阻抗状态后不久，无论是OE ＃线或CS ＃线

返回到高电平。

图5 - 读取波形

地址

CS ＃

OE ＃

产量

注意：

OE ＃可能会延迟到t

ACS

-t

的CS ＃而不对T的影响下降沿后

或用t

加

-t

地址更改，恕不对T的影响后，

加

AC读取特性（见图5 ）

FOR WE512K8 - XCX

= 5.0V, V

= 0V ， -55 ° C≤牛逼

≤ +125°C

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片选择访问时间

从地址变化， OE ＃或CS ＃输出保持

输出使能到输出有效

片选或输出使能为高Z输出

符号

TRC

TACC

TACS

TOH

TOE

TDF

-150

民

150

最大

150

民

200

-200

最大

200

100

民

250

-250

最大

250

125

民

300

-300

最大

300

单位

FOR WE256K8 - XCX和WE128K8 - XCX

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片选择访问时间

从地址变化， OE ＃或CS ＃输出保持

输出使能到输出有效

片选或输出使能为高Z输出

符号

TRC

TACC

TACS

TOH

TOE

TDF

-150

民

150

最大

150

民

200

-200

最大

200

单位

怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。

2000年5月

第1版

怀特电子设计公司• （ 602 ） 437-1520 •www.wedc.com

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