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WED2DL32512V25BC 参数 Datasheet PDF下载

WED2DL32512V25BC图片预览
型号: WED2DL32512V25BC
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内容描述: 512Kx32同步管道突发式SRAM [512Kx32 Synchronous Pipeline Burst SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 146 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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WED2DL32512V
512Kx32同步管道突发式SRAM
特点
s
快时钟速度: 200 ,166, 150 & 133MHz的
s
快速访问次数:为2.5ns , 3.5ns的, 3.8ns & 4.0ns
s
快速OE访问时间:为2.5ns , 3.5ns的, 3.8ns 4.0ns
s
+ 3.3V单电源(V
DD
)
s
独立的+ 3.3V或+ 2.5V隔离输出缓冲电源(V
DDQ
)
s
贪睡模式降低功耗待机
s
单周期解选
s
常见的数据输入和数据输出
s
单个字节写入控制和全局写
s
时钟控制的和注册的地址,数据I / O和控制信号
s
突发控制(交错或线性突发)
s
包装:
• 119焊球BGA封装
s
低电容总线负载
初步*
描述
该WEDC SyncBurst - SRAM系列采用高速,低
正在使用先进的CMOS制造功耗CMOS设计
流程。 WEDC的16Mb的SRAM的SyncBurst集成两个512K ×16
的SRAM成单个的BGA封装提供512K ×32的配置
化。所有同步输入通过一个控制寄存器
正边沿触发的单时钟输入(CLK) 。同步
输入包括所有地址,所有的数据输入端,低电平有效芯片使能
( CE ) ,突发控制输入( ADSC )和字节写使能( BW
0-3
).
异步输入包括输出使能(OE ) ,时钟(CLK)
和贪睡使能( ZZ ) 。还有一种突发模式输入(模式)
该交错和线性突发模式之间进行选择。写周期
可以是从一到四个字节宽,由写控制的控制
输入。脉冲串操作可以与地址的状态来启动
控制器( ADSC )输入。
*此数据表描述了正在研发的产品,不能完全
特点,并随时更改,恕不另行通知。
图。 1
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQ
c
DQ
c
V
DDQ
DQ
c
DQ
c
V
DDQ
DQ
d
DQ
d
V
DDQ
DQ
d
DQ
d
NC
NC
V
DDQ
引脚配置
( TOP VIEW )
2
SA
SA
SA
NC
DQ
c
DQ
c
DQ
c
DQ
c
V
DD
DQ
d
DQ
d
DQ
d
DQ
d
NC
SA
NC
DC
3
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
BW
c
V
SS
NC
V
SS
BW
d
V
SS
V
SS
V
SS
模式
SA
DC
4
NC
ADSC
V
DD
NC
CE
OE
NC
NC
V
DD
CLK
NC
BWE
SA1
SA0
V
DD
SA
DC
5
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
BW
b
V
SS
NC
V
SS
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
NC
SA
DC
6
SA
SA
SA
NC
DQ
b
DQ
b
DQ
b
DQ
b
V
DD
DQ
a
DQ
a
DQ
a
DQ
a
NC
SA
NC
NC
7
V
DDQ
NC
NC
DQ
b
DQ
b
V
DDQ
DQ
b
DQ
b
V
DDQ
DQ
a
DQ
a
V
DDQ
DQ
a
DQ
a
NC
ZZ
V
DDQ
BW
c
BW
d
SA
CLK
ADSC
OE
BWE
CE
模式
ZZ
BW
a
BW
b
框图
512K ×16
SSRAM
DQ
a
DQ
b
512K ×16
SSRAM
DQ
c
DQ
d
注: DC =不连接
2000年1月修订版0
1
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