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WED2ZL361MS35BC 参数 Datasheet PDF下载

WED2ZL361MS35BC图片预览
型号: WED2ZL361MS35BC
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内容描述: 1Mx36同步管道突发NBL SRAM [1Mx36 Synchronous Pipeline Burst NBL SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 647 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
1Mx36同步管道突发NBL SRAM
特点
快时钟速度: 250 , 225 ,200, 166 ,150,
133MHz
快速访问时间: 2.6 , 2.8 , 3.0 , 3.5 , 3.8 , 4.2ns
快速OE #访问时间: 2.6 , 2.8 , 3.0 , 3.5 , 3.8 ,
4.2ns
独立的+ 2.5V ± 5 %电源为核心, I / O
(V
CC
, V
CCQ
)
贪睡模式,可降低待机功耗
单个字节写入控制
时钟控制和注册地址,数据
I / O和控制信号
突发控制(交错或线性突发)
包装:
119焊球BGA封装
低电容总线负载
WED2ZL361MS
描述
该WEDC SyncBurst - SRAM系列采用高速,
即使用的是制造低功耗CMOS设计
先进的CMOS工艺。 WEDC的32Mb的SyncBurst
SRAM的集成了两个1M ×18的SRAM成一个单一的BGA
封装内提供1M ×36 CON组fi guration 。所有同步
输入通过一个正性的控制寄存器
边沿触发的单时钟输入端( CK) 。在NBL或否
公交延时内存采用任何所有带宽
结合工作周期。地址,数据输入,
除非所有的输出控制信号使能和线性爆裂
为了同步到输入时钟。突发顺序控制
必须绑“高或低。 ”异步输入包括
休眠模式使能( ZZ) 。输出使能控制输出
在任何给定的时间。写周期是内部自定时的
由在时钟输入的上升沿启动。此功能
消除了复杂的芯片外的写脉冲的产生和
提供了增强的时序灵活性的输入信号。
注: NBL (无总线延迟)等效于ZBT ??
引脚配置
( TOP VIEW )
4
SA
ADV #
V
CC
NC
CE1#
OE #
SA
WE#
V
CC
CK
NC
CKE #
SA1
SA0
V
CC
SA
NC
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
V
CCQ
SA
NC
DQC
DQC
V
CCQ
DQC
DQC
V
CCQ
DQD
DQD
2
SA
CE2
SA
DQPc
DQC
DQC
DQC
DQC
V
CC
DQD
DQD
DQD
DQD
DQPd
SA
NC
NC
3
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
BWC #
V
SS
NC
V
SS
BWD #
V
SS
V
SS
V
SS
LBO #
SA
NC
5
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
BWB #
V
SS
NC
V
SS
BWA #
V
SS
V
SS
V
SS
NC
SA
NC
6
SA
CE2#
SA
DQPb
DQB
DQB
DQB
DQB
V
CC
DQA
DQA
DQA
DQA
DQPa
SA
NC
NC
7
V
CCQ
NC
NC
DQB
DQB
V
CCQ
DQB
DQB
V
CCQ
DQA
DQA
V
CCQ
DQA
DQA
NC
ZZ
V
CCQ
CK
CKE #
ADV #
LBO #
CE1#
CE2
CE2#
OE #
WE#
ZZ
框图
BWA #
BWB #
BWC #
BWD #
1M ×18
CK
CKE #
ADV #
LBO #
CS1#
CS2
CS2#
OE #
WE#
ZZ
CK
CKE #
ADV #
LBO #
CS1#
CS2
CS2#
OE #
WE#
ZZ
1M ×18
地址总线
( SA0 - SA19 )
DQC , DQD
DQPc , DQPd
DQA , DQB
DQPa , DQPb
M
V
CCQ
N
DQD
P
R
T
U
DQD
NC
NC
V
CCQ
DQA - DQD
DQPa - DQPd
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
十月, 2002年
启5
1
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com