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WED2ZLRSP01S38BI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: WED2ZLRSP01S38BI
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内容描述: 512K ×32 / 256K ×32双阵列同步管道突发式SRAM NBL [512K x 32/256K x 32 Dual Array Synchronous Pipeline Burst NBL SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 350 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
AC特性
参数
时钟时间
时钟存取时间
输出使能到数据有效
钟高输出低Z
从时钟高电平输出保持
输出使能低到输出低Z
输出使能高到输出高阻
钟高输出高-Z
时钟高电平脉冲宽度
时钟低脉冲宽度
地址设置为时钟高
CKE #安装到时钟高
数据建立到时钟高
编写安装程序时钟高
地址前进到时钟高
片选设置为时钟高
地址保持时钟高
CKE #保持到时钟高
数据保持到时钟高
写保持到时钟高
地址前进到时钟高
芯片选择保持到时钟高
符号
t
CYC
t
CD
t
OE
t
LZC
t
OH
t
LZOE
t
HZOE
t
HZC
t
CH
t
CL
t
AS
t
CES
t
DS
t
WS
t
ADVS
t
CSS
t
AH
t
CEH
t
DH
t
WH
t
ADVH
t
CSH
166MHz
6.0
1.5
1.5
0.0
2.2
2.2
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
3.5
3.5
3.0
3.0
最大
150MHz
6.7
1.5
1.5
0.0
2.5
2.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
3.8
3.8
3.0
3.0
最大
133MHz
7.5
1.5
1.5
0.0
3.0
3.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
4.2
4.2
3.5
3.5
最大
WED2ZLRSP01S
100MHz
10.0
1.5
1.5
0.0
3.0
3.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
5.0
5.0
3.5
3.5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1.所有地址输入必须满足特定网络版的建立和保持时间都上升时钟( CK )边缘时, ADV采样低, CEX是#
采样有效。所有其他的同步输入必须满足特定网络版建立和保持时间,只要该设备是芯片的选择。
2.芯片使能必须是有效的在CK的每个上升沿(当ADV为低),以保持启用。
3.写周期解网络由WE #定义低已经注册到设备的ADV低。一个读周期是去连接定义了WE #高配ADV低。
这两种情况下必须满足建立和保持时间。
4.适用于每个独立的阵列。
AC测试条件
(0 ≤ T
A
= 70℃ ,V
CC
= 2.5V ± 5 % ,除非另有规定编)
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间(实测为20% 〜80 % )
输入和输出时序参考电平
输出负载
价值
0至2.5V
1.0V/ns
1.25V
参见输出负载( A)
输出负载( A)
DOUT
Zo=50Ω
RL=50Ω
VL=1.25V
30pF*
输出负载( B)
(对于T
LZC
, t
LZOE
, t
HZOE
和叔
HZC
)
+2.5V
DOUT
1538Ω
1667Ω
5pF*
*包括范围和夹具电容
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2002年4月,
第0版
6
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com