怀特电子设计
WED3C755E8M-XBX
RISC微处理器多芯片封装
概观
该WEDC 755E / SSRAM多芯片封装的对象是
为高性能,空间敏感的低功率系统
并支持以下电源管理功能:
打盹,小睡,睡眠和动态电源管理。该
WED3C755E8M - XBX多芯片封装包括:
755 RISC处理器(E芯片修订版)
专用的1MB SSRAM二级缓存,CON连接gured作为
128Kx72
21mmx25mm , 255陶瓷球栅阵列( CBGA )
核心频率/ L2高速缓存的频率( 300MHz的/
为150MHz , 350MHz的/ 175MHz的)
最大60X总线频率= 66MHz的
特点
该WED3C755E8M - XBX提供商业
( 0 ° C至+ 70 ° C) ,工业( -40 ° C至+ 85° C)和军用
( -55 ° C至+ 125 ° C)温度范围,非常适合
面向嵌入式应用,如导弹,航空航天,
飞行电脑,再连接控制系统和坚固耐用的关键
系统。
足迹与WED3C7558M - XBX和兼容
WED3C750A8M-200BX
足迹与摩托罗拉MPC兼容745
本产品如有更改,恕不另行通知。
图。 1 - 多芯片包图
SSRAM
µP
755E
SSRAM
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2003年5月
REV 2
1
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