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WED3DG639V75D2 参数 Datasheet PDF下载

WED3DG639V75D2图片预览
型号: WED3DG639V75D2
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内容描述: 64MB- 8M ×64 SDRAM UNBUFFERED [64MB- 8M x 64 SDRAM UNBUFFERED]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 5 页 / 117 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CCQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
4
50
WED3DG649V-D2
单位
V
V
°C
W
mA
注意:如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件
(参考电压为: V
SS
= 0V , 0℃下
T
A
70°C)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
3.0
2.0
-0.3
2.4
-10
典型值
3.3
3.0
最大
3.6
V
CCQ
+0.3
0.8
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
A
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= -2mA
3
注:1, V
IH
(最大)= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
3ns.
2. V
IL
(分钟) = -2.0V交流。下冲电压持续时间
3ns.
3.任何输入0V
V
IN
V
CCQ
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器,三态
输出。
电容
(T
A
= 23 ° C,F = 1MHz时, V
CC
= 3.3V, V
REF
=1.4V
±
200mV)
参数
输入电容( A0 - A12 )
输入电容( RAS # , CAS # , WE# )
输入电容( CKE0 )
输入电容( CK0 , CK2 )
输入电容( CS0 # , CS2 # )
输入电容( DQM0 - DQM7 )
输入电容( BA0 - BA1 )
数据输入/输出电容( DQ0 - DQ63 )
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IN
3
C
IN
4
C
IN
5
C
IN
6
C
IN
7
C
OUT
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
25
25
25
13
15
10
25
12
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2003年6月
第1版
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com