怀特电子设计
256MB- 32Mx64 SDRAM UNBUFFERED
特点
突发模式工作
自动和自刷新功能
LVTTL兼容的输入和输出
串行存在检测与EEPROM
完全同步：所有信号记录在正
在系统时钟的边沿
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8或整页
3.3V
±
0.3V电源
144针SO-DIMM的JEDEC
WED3DG6432V-D1
描述
该WED3DG6432V是32Mx64同步DRAM
模块，该模块由八个16Mx16 SDRAM的
在TSOP II封装的组件，以及一个2Kb的EEPROM
在一个8引脚TSSOP封装的串行存在检测
它们被安装在一个144引脚的SO-DIMM多层
FR4基板上。
*本产品如有变更，恕不另行通知。
引脚配置（正面/背面）
引脚
针
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
前
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
SS
DQM0
DQM1
V
CC
A0
A1
A2
V
SS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
V
CC
DQ12
DQ13
针
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
后
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
CC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
SS
DQM4
DQM5
V
CC
A3
A4
A5
V
SS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
V
CC
DQ44
DQ45
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
CK0
V
CC
RAS ＃
WE＃
CS0#
CS1#
DNU
V
SS
NC
NC
V
CC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
CKE0
V
CC
CAS ＃
CKE1
A12
*A13
CK1
V
SS
NC
NC
V
CC
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
SS
DQ52
针
51
53
55
57
59
前
DQ14
DQ15
V
SS
NC
NC
针
52
54
56
58
60
后
DQ46
DQ47
V
SS
NC
NC
针
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
后
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
A6
A8
V
SS
A9
A10/AP
V
CC
DQM2
DQM3
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
CC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
** SDA
V
CC
针
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
后
DQ53
DQ54
DQ55
V
CC
A7
BA0
V
SS
BA1
A11
V
CC
DQM6
DQM7
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
CC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
** SCL
V
CC
引脚名称
A0 – A12
BA0-1
DQ0-63
CK0,CK1
CKE0,CKE1
CS0#,CS1#
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
DQM0-7
V
CC
V
SS
SDA
SCL
DNU
NC
地址输入（复用）
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
DQM
电源（ 3.3V ）
地
串行数据I / O
串行时钟
不要使用
无连接
电压键
*这些引脚没有这个模块中使用。
**这些引脚应在数控系统里面
不支持SPD 。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2002年9月
第0版
1
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WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
