怀特电子设计
32MB - 4Mx64 SDRAM ，无缓冲
特点
PC100和PC133兼容
突发模式工作
自动和自刷新功能
LVTTL兼容的输入和输出
串行存在检测与EEPROM
完全同步：所有信号都登记在
在系统时钟的上升沿
可编程突发长度：1， 2 ，4，8或全
页面
3.3V ± 0.3V电源
144针SO-DIMM的JEDEC
• D1: 27.94 (1.10”)
WED3DG644V-D1
描述
该WED3DG644V是4Mx64同步DRAM
模块，其包括四个4Mx16的SDRAM组件
在TSOP II封装，并且在一个8 1 2Kb的EEPROM的
引脚TSOP封装的串行存在检测哪些
安装在一个144引脚的SO-DIMM多层FR4
基材。
*本产品如有变更，恕不另行通知。
注：可用性咨询工厂：
•符合RoHS标准的产品
•供应商源控制选项
•工业温度选项
引脚配置（正面/背面）
销前销回销前销回
1
V
SS
2
V
SS
51 DQ14 52 DQ46
3
DQ0
4 DQ32 53 DQ15 54 DQ47
56 V
SSV
5
DQ1
6 DQ33 55
V
SS
7
DQ2
8 DQ34 57
NC
58
NC
9
DQ3 10 DQ35 59
NC
60
NC
12
V
CC
11
V
CC
13 DQ4 14 DQ36
电压键
15 DQ5 16 DQ37
17 DQ6 18 DQ38 61 CLK0 62 CKE0
19 DQ7 20 DQ39 63
V
CC
64
V
CC
21
V
SS
22
V
SS
65 RAS ＃ 66 CAS＃
23 DQM0 24 DQM4 67 WE＃ 68 * CKE1
25 DQM1 26 DQM5 69 CS0 ＃ 70 * A12
27
V
CC
28
V
CC
71 * CS1 ＃ 72 * A13
29
A0
30
A3
73 DNU 74 * CK1
31
A1
32
A4
75
V
SS
76
V
SS
33
A2
34
A5
77
NC
78
NC
36
V
SS
79
NC
80
NC
35
V
SS
37 DQ8 38 DQ40 81
V
CC
82
V
CC
39 DQ9 40 DQ41 83 DQ16 84 DQ48
41 DQ10 42 DQ42 85 DQ17 86 DQ49
43 DQ11 44 DQ43 87 DQ18 88 DQ50
46
V
CC
89 DQ19 90 DQ51
45
V
CC
47 DQ12 48 DQ44 91
V
SS
92
V
SS
49 DQ13 50 DQ45 93 DQ20 94 DQ52
针
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
后
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
A6
A8
V
SS
A9
A10/AP
V
CC
DQM2
DQM3
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
CC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
** SDA
V
CC
PIN BACK
96 DQ53
98 DQ54
100 DQ55
102 V
CC
104
A7
106 BA0
108 V
SS
110 BA1
112 A11
114 V
CC
116 DQM6
118 DQM7
120 Vss的
122 DQ56
124 DQ57
126 DQ58
128 DQ59
130 V
CC
132 DQ60
134 DQ61
136 DQ62
138 DQ63
140 V
SS
142 ** SCL
144 V
CC
A0 – A11
BA0-1
DQ0-63
CLK0
CKE0
CS0#
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
DQM0-7
V
CC
V
SS
*V
REF
SDA
SCL
DNU
NC
引脚名称
地址输入（复用）
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
DQM
电源（ 3.3V ）
地
电源为参考
串行数据I / O
串行时钟
不要使用
无连接
*这些引脚没有这个模块中使用。
**这些引脚应该是数控系统
不支持SPD 。
2006年6月
第3版
1
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WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
