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WED3DL3216V8BC 参数 Datasheet PDF下载

WED3DL3216V8BC图片预览
型号: WED3DL3216V8BC
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内容描述: 16Mx32 SDRAM [16Mx32 SDRAM]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 804 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
16Mx32 SDRAM
特点
40 %的空间节省与单芯片解决方案
降低系统的电感和电容
3.3V工作电源电压
完全同步的时钟上升沿
100MHz的时钟频率 - 133MHz的
突发操作
??顺序或交织
??脉冲串长度=可编程,1 ,2,4 , 8
或全页
??突发读取和写入
??多突发读取和单写
数据屏蔽控制每字节
自动和自刷新
自动和控制预充电命令
挂起模式和掉电模式
119引脚BGA , 17毫米X 23毫米
WED3DL3216V
描述
该WED3DL3216V是16Mx32同步DRAM
CON组fi gured作为4x4Mx32 。 SDRAM的BGA构造
具有两个16Mx16的SDRAM管芯安装在一个多层
层叠基板和封装在一个119铅, 17毫米
通过23毫米, BGA 。
该WED3DL3216V在时钟速度提供
中为133MHz , 125MHz的,和100MHz的。的范围
工作频率,可编程的突发长度和
可编程延迟允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的,高性能
存储器系统的应用程序。
包装与设计提供了性能
通过电容与减少50 %增强
两个单片器件。该设计包括内部
接地和电源层从而降低电感
在地面和电源引脚允许改进
去耦和系统噪声的降低。
引脚配置
( TOP VIEW )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
CCQ
NC
NC
DQC
DQC
V
CCQ
DQC
DQC
V
CCQ
DQD
DQD
V
CCQ
DQD
DQD
NC
NC
V
CCQ
1
2
NC
NC
NC
NC
DQC
DQC
DQC
DQC
V
CC
DQD
DQD
DQD
DQD
NC
A6
NC
NC
2
3
4
BA0
NC
A12
CAS #
BA1
V
CC
NC
V
SS
V
SS
CE#
V
SS
RAS #
DQMC NC
CKE
V
SS
NC
V
CC
V
SS
CK
DQMD NC
V
SS
WE#
V
SS
A1
V
SS
NC
A5
NC
3
A0
V
CC
A4
NC
4
5
A10
A11
A9
V
SS
V
SS
V
SS
DQMB
V
SS
NC
V
SS
DQMA
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A3
NC
5
6
A7
NC
A8
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
V
CC
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A2
NC
NC
6
7
V
CCQ
NC
NC
DQB
DQB
V
CCQ
DQB
DQB
V
CCQ
DQA
DQA
V
CCQ
DQA
DQA
NC
NC
V
CCQ
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
引脚说明
A0 – A12
BA0-1
DQ
CK
CKE
DQM
RAS #
CAS #
CE#
V
CC
V
CCQ
V
SS
地址总线
银行选择地址
数据总线
时钟
时钟使能
数据输入/输出面膜
行地址选通
列地址选通
芯片使能
电源引脚, 3.3V
数据总线电源引脚, 3.3V
接地引脚
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2004年1月,
第0版
1
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com