怀特电子设计
SDRAM 8Mx32
特点
53 ％的空间节省与单芯片解决方案
降低系统的电感和电容
引脚排列和尺寸兼容SSRAM 119 BGA
3.3V工作电源电压
完全同步的时钟上升沿
133MH的时钟频率
Z
， 125MH
Z
和100MH
Z
突发操作
WED3DL328V
描述
该WED3DL328V是8Mx32同步DRAM
CON组fi gured作为4x2Mx32 。 SDRAM的BGA构造
具有两个8Mx16的SDRAM管芯安装在一个多层
由层叠基板和封装在一个119铅， 14毫米
22毫米， BGA 。
该WED3DL328V是一种理想的SDRAM宽I / O内存
所有的高性能解决方案，计算机应用
其中包括网络处理器， DSP和功能
ASIC的。
该WED3DL328V是133MH的时钟速度提供
Z
,
125MH
Z
和100MH
Z
。的工作频率范围内，
可编程的突发长度和可编程延迟
允许在同一设备是为各种有用的
高带宽，高性能的存储系统
应用程序。
包装与设计提供了性能
通过电容与减少50 ％增强
两个单片器件。该设计包括内部接地
和电源层从而降低电感在地面上
和电源引脚，允许改进的去耦和
降低系统噪声。
顺序或交织
突发长度可编程= 1，2， 4 ， 8或全部
页面
突发读取和写入
多突发读取和单写
数据屏蔽控制每字节
自动和自刷新
自动和控制预充电命令
挂起模式和掉电模式
119引脚BGA ， JEDEC MO- 163
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
CCQ
NC
NC
DQC
DQC
V
CCQ
DQC
DQC
V
CCQ
DQD
DQD
V
CCQ
DQD
DQD
NC
NC
V
CCQ
1
2
NC
NC
NC
NC
DQC
DQC
DQC
DQC
VCC
DQD
DQD
DQD
DQD
NC
A6
NC
NC
2
3
BA0
NC/A12*
BA1
V
SS
V
SS
V
SS
DQMC
V
SS
NC
V
SS
DQMD
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A5
NC
3
4
NC
CAS ＃
V
CC
NC
CE＃
RAS ＃
NC
CKE
V
CC
CK
NC
WE＃
A1
A0
V
CC
A4
NC
4
5
A10
A11
A9
V
SS
V
SS
V
SS
DQMB
V
SS
NC
V
SS
DQMA
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A3
NC
5
6
A7
NC
A8
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
V
CC
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A2
NC
NC
6
7
V
CCQ
NC
NC
DQB
DQB
V
CCQ
DQB
DQB
V
CCQ
DQA
DQA
V
CCQ
DQA
DQA
NC
NC
V
CCQ
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
引脚说明
A0 – A11
BA0-1
DQ
CK
CKE
DQM
RAS ＃
CAS ＃
CE＃
V
CC
V
CCQ
V
SS
地址总线
银行选择地址
数据总线
时钟
时钟使能
数据输入/输出面膜
行地址选通
列地址选通
芯片使能
电源引脚， 3.3V
数据总线电源引脚， 3.3V
接地引脚
*注：针脚B3被指定为NC / A12 。该引脚用于未来升级的密度为地址引脚A12 。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2002年6月，
第1版
1
怀特电子设计公司• （ 602 ） 437-1520 •www.wedc.com
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