怀特电子设计
SDRAM 4Mx64
特点
53 ％的空间节省与单芯片解决方案
降低系统的电感和电容
3.3V工作电源电压
完全同步的时钟上升沿
133 ， 125和100MH时钟频率
Z
突发操作
顺序或交错
突发长度可编程= 1，2， 4 ， 8或全部
页面
突发读取和写入
多突发读取和单写
数据屏蔽控制每字节
自动和自刷新
自动和控制预充电命令
挂起模式和掉电模式
17毫米X 23毫米， 153 BGA
本产品如有更改，恕不另行通知。
WED3DL644V
描述
该WED3DL644V是4Mx64同步DRAM
CON组fi gured作为4x1Mx64 。 SDRAM的BGA构造
用四个4Mx16的SDRAM管芯安装在一个多层
由层叠基板和封装在一个153铅， 17毫米
23毫米， BGA 。
该WED3DL644V是133MH的时钟速度提供
Z
,
125MH
Z
和100MH
Z
。的工作频率范围内，
可编程的突发长度和可编程延迟
允许在同一设备是为各种有用的
高带宽，高性能的存储系统
应用程序。
包装与设计提供了性能
通过电容与减少50 ％增强
4单片器件。该设计包括内部接地
和电源层从而降低电感在地面上
和电源引脚，允许改进的去耦和
降低系统噪声。
引脚配置（顶视图）
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
1
DQ41
DQ40
DQ33
DQ32
NC
NC
CE2#
NC
NC
NC
CE1#
NC
NC
DQ30
DQ31
DQ22
DQ23
2
DQ43
DQ42
DQ35
DQ34
V
CCQ
CE3#
NC
CKE
NC
CE0#
V
CCQ
DQ28
DQ29
DQ20
DQ21
3
DQ45
DQ44
DQ37
DQ36
V
CCQ
V
SS
V
SS
CAS ＃
V
SS
V
SS
V
CCQ
DQ26
DQ27
DQ18
DQ19
4
DQ47
DQ46
DQ39
DQ38
V
CC
V
CC
V
SS
CK1
RAS ＃
CK0
V
SS
V
CC
V
CC
DQ24
DQ25
DQ16
DQ17
5
NC
NC
NC
NC
V
CC
V
CC
V
SS
V
SS
WE＃
V
SS
V
SS
V
CC
V
CC
NC
NC
NC
NC
6
DQ48
DQ49
DQ56
DQ57
V
CC
V
CC
V
SS
V
SS
A9
V
SS
V
SS
V
CC
V
CC
DQ06
DQ07
DQ14
DQ15
7
DQ50
DQ51
DQ58
DQ59
V
CCQ
V
SS
V
SS
A11
V
SS
V
SS
V
CCQ
DQ04
DQ05
DQ12
DQ13
8
DQ52
DQ53
DQ60
DQ61
V
CCQ
A4
A5
A6
A7
A8
V
CCQ
DQ02
DQ03
DQ10
DQ11
9
DQ54
DQ55
DQ62
DQ63
NC
A3
A2
A1
A0
A10
BA1
BA0
NC
DQ00
DQ01
DQ08
DQ09
引脚说明
A0 – A11
BA0-1
DQ0-63
CK0-1
CKE
DQML0-3
DQMH0-3
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
CE0-3#
V
CC
V
CCQ
V
SS
地址总线
银行选择地址
数据总线
时钟
时钟使能
数据输入/输出口罩
行地址选通
列地址选通
写使能
芯片使
电源引脚， 3.3V
数据总线供电， 3.3V
接地引脚
DQML2 DQMH2
DQML3 DQMH3
DQMH1 DQML1
DQMH0 DQML0
2005年8月
启示录6
1
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