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型号: WED3EG6418S262D4
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内容描述: 128MB- 16Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED W / PLL [128MB- 16Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED W/PLL]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 7 页 / 81 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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WED3EG6418S-D4
最终科幻
128MB- 16Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED W / PLL
特点
双倍数据速率架构
100MHz的, 133MHz的和166MHz的速度
双向数据选通( DQS)
差分时钟输入( CK & CK # )
可编程只读延迟2,2,5 (时钟)
可编程的突发长度( 2,4,8 )
可编程突发类型(顺序&交错)
边沿对齐的数据输出,居中对齐数据输入
自动和自刷新
串行存在检测
JEDEC标准的200针SO-DIMM封装
电源: 2.5V ± 0.25V
同步设计,可以精确控制周期
与使用系统时钟。数据I / O事务
有可能在两边和突发Lenths允许
相同的设备,以对各种高有用
带宽,高性能的存储系统
应用程序。
描述
该WED3DG6418S是16Mx64双倍数据速率
基于128Mb的DDR SDRAM内存模块
SDRAM部分。该模块由8
在66引脚TSOP封装16Mx8的DDR SDRAM
装一个200引脚的FR4基板上。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2002年10月
修订版# 0
1
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com