WED3EG72M18S202JD3MG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WED3EG72M18S202JD3MG
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内容描述：	128MB - 16Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED [128MB - 16Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED]
分类和应用：	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	12 页 / 197 K
品牌：	WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]

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怀特电子设计

WED3EG7218S-JD3

初步

DDR SDRAM组件电气特性和

建议使用的工作条件（续）

DDR400 ： V

= V

CCQ

= + 2.6V ± 0.1V ; DDR333 ， 266 ， 200 ： V

= V

CCQ

= +2.5V ± 0.2V

AC特性

参数

ACTIVE读取或写入延迟

预充电命令期

DQS读序言

DQS阅读后同步

活跃银行A到活动组B命令

DQS写序言

DQS写序言建立时间

DQS写后同步

写恢复时间

内部写读命令延迟

数据有效输出窗口

刷新以刷新命令间隔

平均周期刷新间隔

终止电压延迟到V

退出自刷新非读命令

退出自刷新，以读取命令

符号

RCD

RPRE

RPST

RRD

WPRE

WPRES

WPST

WTR

REFC

REFI

VTD

XSNR

XSRD

200

民

0.9

0.4

0.25

0.4

-t

DQSQ

70.3

7.8

200

0.6

1.1

0.6

403

最大

民

0.9

0.4

0.25

0.4

-t

DQSQ

70.3

7.8

200

0.6

1.1

0.6

335

最大

262/265

民

0.9

0.4

0.25

0.4

-t

DQSQ

70.3

7.8

200

0.6

1.1

0.6

最大

民

0.9

0.4

0.25

0.4

-t

DQSQ

70.3

7.8

0.6

1.1

0.6

202

最大

单位

μs

10,11

笔记

2006年6月

第2版

怀特电子设计公司• （ 602 ） 437-1520 •www.wedc.com

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