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WED3EG72M18S355JD3MG 参数 Datasheet PDF下载

WED3EG72M18S355JD3MG图片预览
型号: WED3EG72M18S355JD3MG
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内容描述: 128MB - 16Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED [128MB - 16Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 12 页 / 197 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
WED3EG7218S-JD3
初步
具体测试条件为DDR SDRAM我
DD1
&放大器;我
DD7A
I
DD1
:工作电流: ONE BANK
1.
2.
3.
典型案例: V
CC
= 2.5V ,T = 25°C
最糟糕的情况: V
CC
= 2.7V ,T = 10℃
只有一个银行与T访问
RC
(分钟) ,突发
方式,地址和控制对NOP边沿输入
在每个时钟周期都改变一次。我
OUT
= 0毫安
计时模式:
DDR200 ( 100MHz的, CL = 2 ) :吨
CK =
为10ns ,CL2,
BL = 4 ,叔
RCD≥
2*t
CK
, t
RAS =
5*t
CK
阅读: A0 ñ R0 N N P0 ñ A0 N - 重复
随机应对不断变化的同一时间;
数据在每个突发变化的50 %
DDR266 ( 133MHz的, CL = 2.5 ) :吨
CK =
7.5ns,
CL = 2.5 ,BL = 4 ,叔
RCD≥
3*t
CK
, t
RC =
9*t
CK
, t
RAS =
5*t
CK
阅读: A0 N N R0 ñ P0 N N N A0 N - 重复
随机地址相同的时间
改变;数据在每个突发变化的50 %
DDR266 ( 133MHz的, CL = 2 ) :吨
CK
= 7.5ns ,CL = 2,
BL = 4 ,叔
RCD
=3*t
CK
, t
RC
=9*t
CK
, t
RAS
=5*t
CK
阅读: A0 N N R0 ñ P0 N N N A0 N - 重复
随机地址相同的时间
改变;数据在每个突发变化的50 %
DDR333 ( 166MHz的, CL = 2.5 ) :吨
CK
=为6ns ,BL = 4,
t
RCD
=10*t
CK
, t
RAS
=7*t
CK
阅读: A0 N N R0 ñ P0 N N N A0 N - 重复
随机地址相同的时间
改变;数据在每个突发变化的50 %
DDR400 ( 200MHz的, CL = 3 ) :吨
CK
= 5ns的,BL = 4,
t
RCD
=15*t
CK
, t
RAS
=7*t
CK
阅读: A0 N N R0 ñ P0 N N N A0 N - 重复
随机地址相同的时间
改变;数据在每个突发变化的50 %
I
DD7A
:工作电流:四家银行
1.
2.
3.
典型案例: V
CC
= 2.5V ,T = 25°C
最糟糕的情况: V
CC
= 2.7V ,T = 10℃
四家银行正在交错吨
RC
( MIN)
对NOP突发模式,地址和控制输入
优势并没有改变。 IOUT = 0毫安
计时模式:
DDR200 ( 100MHz的, CL = 2 ) :吨
CK
= 10ns的, CL2 ,
BL = 4 ,叔
RRD
=2*t
CK
, t
RCD
=3*t
CK
,与阅读
Autoprecharge
阅读: A0 ñ A1 R0 ,R1 A2 A3 R2 R3 A0 A1 R0
重复与随机地址相同的时间
改变;数据改变在每100%的
BURST
DDR266 ( 133MHz的, CL = 2.5 ) :吨
CK
=7.5ns,
CL = 2.5 ,BL = 4 ,叔
RRD
=3*t
CK
, t
RCD
=3*t
CK
阅读Autoprecharge
阅读: A0 ñ A1 R0 ,R1 A2 A3 R2 R3 ñ ñ A0
A1 R0 - 随机重复同样的时间
地址变更;数据在改变100%
每次爆
DDR266 ( 133MHz的, CL = 2 ) :吨
CK
= 7.5ns ,CL2 = 2,
BL = 4 ,叔
RRD
=2*t
CK
, t
RCD
=2*t
CK
阅读: A0 ñ A1 R0 ,R1 A2 A3 R2 R3 ñ ñ A0
A1 R0 - 随机重复同样的时间
地址变更;数据在改变100%
每次爆
DDR333 ( 166MHz的, CL = 2.5 ) :吨
CK
=6ns,
BL = 4 ,叔
RRD
=3*t
CK
, t
RCD
=3*t
CK
,与阅读
Autoprecharge
阅读: A0 ñ A1 R0 ,R1 A2 A3 R2 R3 ñ ñ A0
A1 R0 - 随机重复同样的时间
地址变更;数据在改变100%
每次爆
DDR400 ( 200MHz的, CL = 3 ) :吨
CK
=5ns,
BL = 4 ,叔
RRD
=10*t
CK
, t
RCD
=15*t
CK
,与阅读
Autoprecharge
阅读: A0 ñ A1 R0 ,R1 A2 A3 R2 R3 ñ ñ A0
A1 R0 - 随机重复同样的时间
地址变更;数据在改变100%
每次爆
4.
4.
图例:
A =激活, R =读取,W =写, P =预充电, N = NOP
A( 0-3) =激活银行0-3
R( 0-3 ) =读0-3银行
2006年6月
第2版
6
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