怀特电子设计
WED3EG7218S-JD3
初步*
128MB - 16Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED
特点
双倍数据速率架构
DDR200 ， DDR266 ， DDR333和DDR400
• JEDEC设计规范网络版
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程只读延迟2,2.5 （时钟）
可编程的突发长度（ 2,4,8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，中心对齐的数据输入。
自动和自刷新
串行存在检测
电源：
•
V
CC
= V
CCQ
= 2.5V±0.2V
（ 100 ， 133和166MHz的）
•
V
CC
= V
CCQ
= 2.6V±0.1V
(200MHz)
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
描述
该WED3EG7218S是16Mx72双倍数据速率
基于128Mb的DDR SDRAM SDRAM内存模块
组件。该模块包括九个16Mx8 DDR
在66引脚TSOP封装的SDRAM安装在一个184
针FR4基板上。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能
存储器系统的应用程序。
JEDEC 184针DIMM封装
• JD3 PCB高度： 30.48 （ 1.20" ）最大
注：可用性咨询工厂：
• RoHS产品
•供应商源控制选项
•工业温度选项
工作频率
DDR400 @ CL = 3
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
200MHz
3-3-3
DDR333 @ CL = 2.5
166MHz
2.5-3-3
DDR266 @ CL = 2
133MHz
2-2-2
DDR266 @ CL = 2.5
133MHz
2.5-3-3
DDR200 @ CL = 2
100MHz
2-2-2
2006年6月
第2版
1
怀特电子设计公司• （ 602 ） 437-1520 •www.wedc.com
WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
