WED3EG7232S-JD3
初步
256MB - 32Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED
特点
双倍数据速率架构
DDR200 ， DDR266 ， DDR333 DDR400 AMD
• JEDEC设计规范网络阳离子
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程只读延迟2 ， 2.5 （时钟）
可编程的突发长度（ 2，4， 8）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，中心对齐的数据输入。
自动和自刷新
串行存在检测
电源：
• V
CC
= V
CCQ
= + 2.5V ± 0.2V （ 100 ， 133和
166MHz)
• V
CC
= V
CCQ
= + 2.6V ± 0.1V （ 200MHz的）
JEDEC 184针DIMM封装
• JD3 PCB高度： 30.48 （ 1.20" ）最大
注：可用性咨询工厂：
•符合RoHS标准的产品
•供应商源控制选项
•工业温度选项
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
描述
该WED3EG7232S是32Mx72双倍数据速率
基于256Mb的DDR SDRAM SDRAM内存模块
组件。该模块包括九个32Mx8 DDR
在66引脚TSOP封装的SDRAM安装在一个184
针FR4基板上。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能
存储器系统的应用程序。
工作频率
DDR400 @ CL = 3
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
200MHz
3-3-3
DDR333 @ CL = 2.5
166MHz
2.5-3-3
DDR266 @ CL = 2
133MHz
2-2-2
DDR266 @ CL = 2.5
133MHz
2.5-3-3
DDR200 @ CL = 2
100MHz
2-2-2
2006年6月
启示录6
1
怀特电子设计公司• （ 602 ） 437-1520 •www.wedc.com
WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
