怀特电子设计
WED3EG7233S-D3
-JD3
高级*
256MB - 2x16Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED
特点
双倍数据速率架构
DDR200和DDR266
• JEDEC设计规范网络版
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程只读延迟2,2.5 （时钟）
可编程的突发长度（ 2,4,8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，中心对齐的数据输入。
自动和自刷新
串行存在检测
双列
电源： 2.5V ± 0.20V
JEDEC标准的184针DIMM封装
• JD3 PCB高度： 30.48毫米（ 1.20" ）
注：可用性咨询工厂：
•符合RoHS标准的产品
•供应商源控制选项
•工业温度选项
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
描述
该WED3EG7233S是2x16Mx72双倍数据速率
基于128Mb的DDR SDRAM SDRAM内存模块
组件。该模块由18 16Mx8 DDR
安装在一个184引脚的66引脚TSOP封装的SDRAM
FR4基板上。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能
存储器系统的应用程序。
工作频率
DDR266 @ CL = 2
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
133MHz
2-2-2
DDR266 @ CL = 2.5
133MHz
2.5-3-3
DDR200 @ CL = 2
100MHz
2-2-2
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年5月
第0版
1
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WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
