怀特电子设计
4M ×16位× 4银行同步DRAM
特点
单3.3V电源
完全同步的时钟上升沿
时钟频率= 133 ，125，和100MH
Z
SDRAM CAS延迟= 2
突发操作
??顺序或交织
•突发长度=可编程1,2,4,8或整页
??突发读取和写入
??多突发读取和单写
数据屏蔽控制每字节
自动刷新（ CBR）和自刷新
• 8192刷新整个64ms的周期
自动和控制预充电命令
挂起模式和掉电模式
工业温度范围
WED416S16030A
描述
该WED416S16030A是268435456位同步的
高数据速率DRAM的组织为4× 4196304字×
16位。同步设计，可以精确控制周期
与使用系统时钟。 I / O事务是可能的
在每个时钟周期。工作频率范围内，
可编程的突发长度和可编程延迟
允许在同一设备来对各种高有用
带宽，高性能的存储系统应用
系统蒸发散。
可在一个54引脚TSOP II型封装
WED416S16030A是在整个工业温度范围内测试
（ -40 ° C至+ 85°C ），提供坚固耐用的主要解决方案
内存的应用程序。
*本产品如有变更，恕不另行通知。
引脚配置
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
2006年4月
第1版
引脚说明
A0-12
BA0 ， BA1
CE＃
WE＃
CK
CKE
DQ0-15
L（ U） DQM
RAS ＃
CAS ＃
V
DD
V
DDQ
V
SS
V
SSQ
NC
地址输入
银行选择地址
芯片选择
写使能
时钟输入
时钟使能
数据输入/输出
数据输入/输出面膜
行地址选通
列地址选通
电源（ 3.3V ）
数据输出功率
地
数据输出地
无连接
前
V
CC
DQ0
V
CCQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
CCQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
CC
LDQM
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
针
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
前
CE＃
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
针
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
前
CKE
CK
UDQM
NC / RFU
V
SS
DQ8
V
CCQ
DQ9
DQ10
V
SSQ
DQ11
DQ12
V
CCQ
DQ13
DQ14
V
SSQ
DQ15
V
SS
1
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