怀特电子设计
2Mx16x 4银行同步DRAM
特点
单3.3V电源
完全同步的时钟上升沿
SDRAM的CAS Latentency = 3（ 100MHz的），2（ 83兆赫兹）
突发操作
??顺序或交织
•突发长度=可编程1,2,4,8或整页
??突发读取和写入
??多突发读取和单写
数据屏蔽控制每字节
自动刷新（ CBR）和自刷新
• 4096刷新整个64ms的周期
自动和控制预充电命令
挂起模式和掉电模式
WED416S8030A-SI
描述
该WED416S8030AxxSI是134217728位
组织为4×同步高数据速率DRAM
2097 ， 152字×16位。同步设计允许
与使用系统时钟的精确周期控制， I / O的
交易可能在每一个时钟周期。范围
工作频率，可编程的突发长度和
可编程延迟允许在同一设备是有用的
对于各种高带宽，高性能存储
系统的应用程序。
可在一个54引脚TSOP II型封装
WED416S4030AxxSI是在工业温度测试
范围（-40 ° C至+ 85°C ），提供坚固耐用的解决方案
主存储器应用。
销刀豆网络gurations
引脚说明
CLK
CKE
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
CE＃
A0-A11
BA0 ， BA1
DQ0-DQ15
L（ U） DQM
V
CC
V
CCQ
V
SS
V
SSQ
NC
时钟输入
时钟使能
行地址选通
列地址选通
写使能
芯片选择
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
数据输入/输出面膜
电源（+ 3.3V±10 ％）
数据输出功率
地
数据输出地
无连接
V
CC
DQ
0
V
CCQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
CCQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
DQ
7
V
CC
LDQM
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
CE＃
BA
0
BA
1
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
14
DQ
13
V
CCQ
DQ
12
DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
CCQ
DQ
8
V
SS
NC / RFU
UDQM
CK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
接线端子
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年10月
第4版
1
怀特电子设计公司• （ 602 ） 437-1520 •www.wedc.com
（ TOP教职员）
WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
