怀特电子设计
WED7Fx325ZXEBSNyyC
2 ， 4 ，和8MB ，意法半导体， 5.0V基于4Mb的，统一的行业
FLASH模块系列
特点
2 ， 4 ，和8MB密度闪存模块
组织结构; 512K ×32 ， 2× 512K ×32和4× 512K ×32
基于意法半导体的M29F040B 5.0V闪存设备
基础部件器件ID = E2H
基础零部件制造商ID = 20H
统一的部门架构
扇区擦除
扇区保护
嵌入式擦除算法
嵌入式程序算法（ AMD兼容）
数据轮询和切换位的检测
每座10万编程/擦除周期
20年的数据保存
引脚配置
引脚号引脚名引脚号引脚名引脚号引脚名引脚号引脚名
1
V
SS
21 （注1 ） 41
A11
61
DQ9
2
V
CC
22 （注1 ） 42
A10
62
DQ8
3
NC
23 （注1 ） 43
A9
63
DQ7
4
G#
24 （注1 ） 44
A8
64
DQ6
5
W0#
25
V
SS
45
A7
65
DQ5
6
W1#
26
DQ29
46
A6
66
DQ4
7
NC
27
DQ30
47
A5
67
DQ3
8
DQ16
28
DQ31
48
A4
68
DQ2
9
DQ17
29
W2#
49
A3
69
DQ1
10
DQ18
30
NC
50
A2
70
DQ0
11
DQ19
31
NC
51
A1
71
NC
12
DQ20
32
NC
52
A0
72
V
CC
13
DQ21
33
NC
53
W3#
73
PD1
14
DQ22
34
A18
54
V
SS
74
PD2
15
DQ23
35
A17
55
DQ15
75
PD3
16
DQ24
36
A16
56
DQ14
76
PD4
17
DQ25
37
A15
57
DQ13
77
PD5
18
DQ26
38
A14
58
DQ12
78
PD6
19
DQ27
39
A13
59
DQ11
79
PD7
20
DQ28
40
A12
60
DQ10
80
V
SS
注1 ：银行启用
描述
该WED7F325ZXEBSN ， WED7F2325ZXEBSN和
WED7F4325ZXEBSN组织为512K ×32 ， 2×
512K ×32和4× 512K X分别为32 。这些模块
基于从STMICRO 4Mb的TSOP组分
被安装到的FR4基板。
该模块提供的访问速度从70到
为150ns与5.0V的工作电压要求
±10%.
存在检测引脚;模块密度
SIMM密度
512K ×32
2× 512K ×32
4× 512K ×32
出现选择引脚
PD1
V
SS
开放
V
SS
PD2
V
SS
开放
开放
PD3
V
SS
开放
开放
PD4
开放
V
SS
V
SS
SIMM密度
512K ×32
2× 512K ×32
4× 512K ×32
引脚24
E0
E0
E0
23针
NC
E1
E1
引脚22
NC
NC
E2
引脚21
NC
NC
E3
引脚名称，定义
A
0-19
DQ
0-31
地址输入
常见的数据输入/输出
字节写使能
银行启用
OUTPUT ENABLE
设备检测
无连接
电源5V ±10 ％
地
引脚电容
参数
符号销
输入电容
C
IN
地址
输入电容
C
IN
G#
输出电容C
IO
输入/输出数据总线
输入电容
C
IN
E
0-3
#
输入电容
C
IN
W
0-3
#
2000年3月
第0版
W
0-3
#
E
0-3
#
2MB
价值
20pF
20pF
5pF
20pF
5pF
4MB
价值
40pF
40pF
10pF
20pF
10pF
8MB
价值
80pF
80pF
20pF
20pF
20pF
1
G#
PD
0-7
NC
V
CC
V
SS
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