怀特电子设计
EDI7F328XDNSN
EDI7F2328XDNSN
高级*
8M X 32/2 X 8Mx 32 ; INTEL J3基于FLASH
特点
8M ×32和2× 8米×32密度
基于Intel的地层FL灰（ J3 ）系列闪存
器件
• E28F640J3
（ 64 ）， 128KB的块擦除（对称的）
高性能接口的异步页模式
读和写
??二十五分之一百二纳秒读取时间
2.7V - 3.6V的Vcc操作
128位保护寄存器;
• 64位唯一设备Identi连接器
?? 64位用户可编程OTP细胞
通用闪存接口（ CFI ）
可扩展指令集（ SCS ）
32字节的写缓冲， 64M总擦除周期
•每座100,000次擦写循环
包
?? 80引脚的SIMM
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
名字
V
SS
V
CC
NC
G#
W0#
W1#
NC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
概述
该EDI7F328XDNSN和EDI7F2328XDNSN是
组织为8M之一和两个存储体X 32分别。
该模块基于英特尔E28F640J3 ， 8M ×8 /
4M ×16器件系列。这两个模块都提供了访问时间
的120-150ns 。
销刀豆网络gurations
针
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
名字
NC
NC
*
*
V
SS
DQ29
DQ30
DQ31
W2#
A22
A21
A20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
针
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
名字
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
W3#
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
针
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
名字
DQ9
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
NC
V
CC
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
V
SS
电容
8M ×32 2× 8M ×32
参数
地址线
数据线
芯片&写使能
线
输出使能线
符号
CA
干熄焦
CG
CG
最大
35
15
15
35
最大
70
30
30
70
单位
pf
pf
pf
pf
12
13
14
15
16
17
18
19
20
* SIMM密度
32MB PIN 24 = E0 ＃
64MB PIN 24 = E0 ＃
PIN 23 = NC
PIN 23 = E1 ＃
2000年9月
修订版0.1
1
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WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
