怀特电子设计
特点
WED7F324XDNSN
4Mx32 / 2x4Mx32 ; INTEL J3基于闪存模块
4Mx32和2x4mx32密度
基于Intel的地层FL灰（ J3 ）系列闪存
器件
E28F320J3
（ 32 ）， 128KB的块擦除（对称的）
高性能接口异步页面模式读取
二十五分之一百二纳秒读取时间
2.7V - 3.6V V
CC
手术
128位保护寄存器;
64位唯一设备Identi连接器
64位用户可编程OTP细胞
通用闪存接口（ CFI ）
可扩展指令集（ SCS ）
32字节的写缓冲， 32M的总擦除周期
每座100,000次擦写循环
包
80引脚SIMM
W3#
W2#
W1#
W0#
图。 1框图
WED7F324DNSN ： 4Mx32 80引脚SIMM
A0-A21
E0#
G#
4Mx8
DQ0-7
4Mx8
DQ8-15
4Mx8
DQ16-23
4Mx8
DQ24-31
描述
该WED7F324XDNSN和WED7F2324XDNSN是
分别组织为4Mx32之一和两个存储体。
该模块基于英特尔E28F320J3 ， 4Mx8 /
2Mx16器件系列。这两个模块都提供了访问时间
的120ns的。
A0-A21
E0#
G#
WED7F2324XDNSN ： 2x4Mx32 80引脚SIMM
A0-A21
E0#
G#
4Mx8
W0#
DQ0-7
W0#
4Mx8
DQ0-7
4Mx8
W1#
DQ8-15
W1#
4Mx8
DQ8-15
4Mx8
W2#
DQ16-23
W2#
4Mx8
DQ16-23
4Mx8
W3#
DQ24-31
W3#
4Mx8
DQ24-31
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
九月， 2002年
牧师0A
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