怀特电子设计
交流特性：
WED7PxxxCFA80xxC25
属性存储器的时序特定网络阳离子
属性内存访问时间去连接定义为为300ns 。具体的时序规格示于表中。
极速版
项
读周期时间
地址访问时间
卡启用访问时间
输出启用访问时间
从CE输出禁止时间
从OE输出禁止时间
地址建立时间
输出使能的CE时间
输出使能，从OE时间
数据有效期从地址变更
符号
TC （R）的
TA （ A）
TA （ CE）
TA （ OE ）
TDIS （ CE）
TDIS （ OE ）
TSU （ A）
10 （ CE）
10 （ OE ）
TV（A）
IEEE符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AVGL
t
ELQNZ
t
GLQNZ
t
AXQX
MIN纳秒。
300
300纳秒
MAX纳秒。
300
300
150
100
100
30
5
5
0
注：所有的时间都在纳秒。该系统提供的CompactFlash存储卡或CF卡+ DOUT显ES数据。
在CE＃信号或两个OE ＃信号和WE＃信号必须撤除连续循环操作之间。
CON组fi guration寄存器（属性内存）写时序特定网络阳离子
该卡CON组fi guration写访问时间去连接定义为250ns的。详细的定时特定网络连接的阳离子示于表中。
极速版
项
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
数据建立时间为WE
数据保持时间
符号
TC （W）的
总重量（WE）
TSU （ A）
TREC （WE）
TSU （ D- WEH ）
日（ D）
IEEE符号
t
AVAV
t
WLWH
t
AVWL
t
WMAX
t
DVWH
t
WMDX
250纳秒
MIN NS
250
150
30
30
80
30
最大NS
注：所有的时间都在纳秒。嚣的CompactFlash存储卡或CF卡+系统提供的显ES数据。
常见的内存读时序特定网络阳离子
项
输出启用访问时间
从OE输出禁止时间
地址建立时间
地址保持时间
OE前CE安装
CE保持以下OE
等待时延从OE下降
数据设置为等待释放
等待的时间宽度
符号
TA （ OE ）
TDIS （ OE ）
TSU （ A）
第（一）
TSU （ CE）
日（ CE）
电视（ WT -OE ）
电视（ WT）的
总重量（ WT ）
IEEE符号
t
GLQV
t
GHQZ
t
AVGL
t
GHAX
t
ELGL
t
GHEH
t
GLWTV
t
QVWTH
t
WTLWTH
MIN纳秒。
MAX纳秒。
125
100
30
20
0
20
35
0
350 （ 3000 CF + ）
注：上-WAIT ＃最大负荷是1输入通道具有50pF的总负荷。所有的时间都在纳秒。所提供的CompactFlash存储卡或CF卡+ DOUT显ES数据
该系统。该WAIT ＃信号可能被忽略，如果OE＃周期对周期时间大于等待时间宽度。的最长等待时间宽度可以从卡确定
信息结构。在等待的时间宽度达到12PS的PCMCIA特定网络连接的阳离子，但在本规范故意少。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年7月
第1版
6
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