WED8L24258V
异步SRAM ， 3.3V ， 256Kx24
特点
n
256Kx24位CMOS静态
n
随机存取存储器阵列
•快速访问次数： 10 ， 12 ，和为15ns
??主输出使能和写控制
•三个芯片使为控制字节
• TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
n
表面贴装封装
• 119引脚BGA （ JEDEC MO- 163 ） ，第391
•占地面积小， 14mmx22mm
•多个接地引脚的最大噪声抗扰度
n
单+ 3.3V （ ± 5 ％ ）电源供电
n
DSP的存储解决方案
•摩托罗拉DSP5630x
• ADI公司的SHARC
TM
JEDEC标准119 BGA率先提供了69 ％的空间节省
在使用6 256Kx4 ， 300密耳宽SOJs和BGA封装
已经为110密耳的最大高度相比， 148密耳为SOJ
包。 BGA封装还允许使用相同的
作为摩托罗拉的DSP ，制造和检验技术这
也是在一个BGA封装。
描述
该WED8L24258VxxBC是3.3V ， 12兆位的SRAM CON-
structed三256Kx8模具安装在多层层压制品
基材。用10〜 15ns的存取时间， X24宽度和3.3V
工作电压时， WED8L24258V是理想的，用于创建一个单芯片
为摩托罗拉DSP5630x或双芯片解决方案的存储解决方案
为ADI公司的SHARC
TM
DSP 。
单或双芯片的存储解决方案提供了更好的系统
通过减少电路板迹线的长度和数量的性能
板的连接相比，使用多个单片器件。
图。 1
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
NC
NC
I/012
I/013
I/014
I/015
I/016
I/017
NC
I/018
I/019
I/020
I/021
I/022
I/023
NC
NC
引脚配置
引脚符号
2
AO
A5
NC
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
NC
A9
A13
3
A1
A6
E2
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
NC
A10
A14
4
A2
E0
NC
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
NC
W
G
5
A3
A7
E3
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
NC
A11
A15
6
A4
A8
NC
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
GND
VCC
A17
A12
A16
7
NC
NC
I/00
I/01
I/02
I/03
I/04
I/05
NC
I/06
I/07
I/08
I/09
I/010
I/011
NC
NC
A
0-17
E
W
G
DQ
0-23
VCC
GND
NC
P
IN
N
AMES
地址输入
芯片使能
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
功率（3.3V ±5％）
地
无连接
框图
A
0
-A
17
G
W
E
0
E
2
E
3
18
256K ×24
内存
ARRAY
DQ
0
-
7
DQ
8-15
DQ
16-23
2002年7月修订版0A
ECO ＃ 15432
1
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WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
