怀特电子设计
异步SRAM ， 3.3V ， 512Kx24
特点
512Kx24位CMOS静态
随机存取存储器阵列
快速存取时间： 10 ，12，和15ns的
主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
完全静态的，并没有时钟
119引脚BGA （ JEDEC MO- 163 ） ，第391
占地面积小， 14mmx22mm
多个接地引脚的最大噪声
免疫
WED8L24513V
描述
该WED8L24513VxxBC是3.3V ， 12兆位的SRAM
具有三个512Kx8构造模安装在一个多层
层压基板。用10〜 15ns的存取时间， X24宽
和一3.3V的工作电压，所述WED8L24513V是理想
创建了摩托罗拉的单芯片解决方案内存
DSP5630x （图7） ，或用于模拟一个双芯片解决方案
设备SHARC
TM
的DSP （图8） 。
单或双片外存储器解决方案提供了改善
通过减少电路板走线长度的系统性能
与相比，使用电路板的连接数
多个单片器件。
JEDEC标准119 BGA率先提供了61 ％的空间
节省了使用三个512Kx8 ， 400密耳宽SOJs和
BGA封装已为110密耳的最大高度比
148密耳的SOJ包装。
表面贴装封装
单+ 3.3V （ ± 5 ％ ）电源供电
DSP的存储解决方案
摩托罗拉DSP5630x
ADI公司的SHARC
TM
引脚配置
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
1
NC
NC
I/012
I/013
I/014
I/015
I/016
I/017
NC
I/018
I/019
I/020
I/021
I/022
I/023
NC
NC
2
AO
A5
NC
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
A18
A9
A13
3
A1
A6
NC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
NC
A10
A14
4
A2
E#
NC
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
NC
W#
G#
5
A3
A7
NC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
NC
A11
A15
6
A4
A8
NC
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
A17
A12
A16
7
NC
NC
I/00
I/01
I/02
I/03
I/04
I/05
NC
I/06
I/07
I/08
I/09
I/010
I/011
NC
NC
A0-18
E#
W#
G#
DQ0-23
V
CC
GND
NC
引脚名称
地址输入
芯片使能
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
功率（3.3V ±5％）
地
无连接
框图
A0-A18
G#
W#
E#
19
512K ×24
内存
ARRAY
DQ0-7
DQ8-15
DQ16-23
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
八月， 2002年
牧师0A
1
怀特电子设计公司• （ 602 ） 437-1520 •www.wedc.com
WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
