WED8L24514V
SRAM ， 3.3V ，
异步SRAM ， 3.3V ， 512Kx24
特点
描述
n
n
512Kx24位CMOS静态
随机存取存储器阵列
•快速访问次数： 10 ， 12 ，和为15ns
??主输出使能和写控制
•三个芯片使为控制字节
• TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
该WED8L24514VxxBC是3.3V ， 12兆位的SRAM
具有三个512Kx8构造模安装在一个多
叠层基板。用10至15ns的存取时间， ×24
宽度和一个3.3V的工作电压，所述WED8L24514V是
适合于创建为一个单芯片存储器溶液
摩托罗拉DSP5630x或模拟一个双芯片解决方案
设备SHARC
TM
DSP 。
单或双片外存储器解决方案提供了改善
通过减少电路板的长度系统性能
跟踪和比较板的连接数
使用多个单片器件。
JEDEC标准119 BGA率先提供了61 ％
节省了空间使用三个512Kx8 ， 400密耳宽
SOJs和BGA封装具有110的最大高度
密尔相比， 148密耳的SOJ包装。
n
表面贴装封装
• 119引脚BGA （ JEDEC MO- 163 ） ，第391
•占地面积小， 14mmx22mm
•多个接地引脚的最大噪声抗扰度
n
n
单+ 3.3V （ ± 5 ％ ）电源供电
DSP的存储解决方案
•摩托罗拉DSP5630x
• ADI公司的SHARC
TM
图。 1引脚配置
P
IN
S
YMBOLS
引脚n
AMES
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
NC
NC
I/0
12
I/0
13
I/0
14
I/0
15
I/0
16
I/0
17
NC
I/0
18
I/0
19
I/0
20
I/0
21
I/0
22
I/0
23
NC
NC
2
A
O
A
5
NC
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
A
18
A
9
A
13
3
A
1
A
6
E
2
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
NC
A
10
A
14
4
A
2
E
0
NC
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
NC
W
G
5
A
3
A
7
E
3
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
NC
A
11
A
15
6
A
4
A
8
NC
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
A
17
A
12
A
16
7
NC
NC
I/0
0
I/0
1
I/0
2
I/0
3
I/0
4
I/0
5
NC
I/0
6
I/0
7
I/0
8
I/0
9
I/0
10
I/0
11
NC
NC
A
0-18
E
W
G
DQ
0-23
V
CC
GND
NC
地址输入
芯片使能
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
功率（3.3V ±5％）
地
无连接
框图
A
0
-A
18
G
W
E
0
E
2
E
3
19
512K ×24
内存
ARRAY
DQ
0
-
7
DQ
8-15
DQ
16-23
2001年9月第2版
ECO ＃ 14670
1
怀特电子设计公司• （ 508 ） 366-5151 •www.whiteedc.com
WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
