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WED9LAPC2B16P8BC 参数 Datasheet PDF下载

WED9LAPC2B16P8BC图片预览
型号: WED9LAPC2B16P8BC
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内容描述: 4M ×32 SDRAM / 2M ×8 SDRAM [4M x 32 SDRAM / 2M x 8 SDRAM]
分类和应用: 电信集成电路电信电路动态存储器
文件页数/大小: 21 页 / 693 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
4M ×32 SDRAM / 2M ×8 SDRAM
WED9LAPC2B16P8BC
外部存储器解杰尔TAPC640 ATM端口控制器
特点
时钟速度:
• SDRAM 100 MHz的
100 %测试的TAPC640的时序要求
存储器接口
包装:
• 153引脚BGA , 14毫米X 22毫米
3.3V工作电源电压
直接控制界面都和BRAM
在TAPC640 PRAM端口
62 %的空间节省与单片解决方案
降低系统的电感和电容
描述
该WED9LAPC2B16P8BC是3.3V , 4M ×32同步
DRAM和一个2M ×8的同步DRAM阵列封装
在14mm的X 22毫米153铅BGA 。
该WED9LAPC2B16P8BC提供所需的存储器
为BRAM (缓冲存储器)和PRAM (指针存储器)
内存端口杰尔TAPC640 ATM端口控制器。
当在结合WED9LAPC2C16V4BC用
这为CRAM提供内存(内存控制)
和VCRAM (虚拟控制存储器)内存端口,
在LUCTAPC640的整个存储器要求能
满足使用这2个BGA器件。
该WED9LAPC2B16P8BC是100 %测试时间
的TAPC640的存储器接口的时序要求
为商用和工业温度范围。
图1 - 引脚配置
引脚排列BRAM和PRAM MCM - 顶视图
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
2
V
CC
B
DATA_A
B
DATA_A
V
SS
B
DATA_A
B
DATA_A
V
CC
B
DATA_B
B
DATA_B
V
SS
B
DATA_B
B
DATA_B
V
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P
数据
P
数据
P
数据
P
数据
3
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DATA_A
B
DATA_A
B
DATA_A
B
DATA_A
B
DATA_A
B
DATA_A
B
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B
DATA_B
B
DATA_B
B
DATA_B
B
DATA_B
B
DATA_B
V
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P
数据
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V
CC
P
数据
4
B
DATA_A
B
DATA_A
B
DATA_A
B
DATA_A
B
DATA_A
B
DATA_A
B
DATA_B
B
DATA_B
B
DATA_B
B
DATA_B
B
DATA_B
B
DATA_B
V
SS
V
SS
V
SS
P
数据
P
数据
5
V
SS
V
SS
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CC
V
CC
V
CC
V
SS
V
SS
V
SS
V
CC
V
CC
V
CC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
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V
CC
6
GCLK
V
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NC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
CC
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7
V
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NC
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
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NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
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8
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V
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V
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V
SS
V
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V
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V
CC
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V
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V
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V
SS
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PWEN
9
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V
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BADDR9
BADDR7
BADDR5
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V
CC
BADDR1
BADDR10
BADDR12
V
CC
PADDR8
PADDR6
PADDR4
PADDR2
PADDR0
PBS
BRASN
BDQM
BADDR11
BADDR8
BADDR6
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V
CC
BADDR2
BADDR0
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V
CC
PADDR9
PADD7
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PADDR3
PADDR1
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2001年11月
第1版
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