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WED9LAPC2C16V8BI 参数 Datasheet PDF下载

WED9LAPC2C16V8BI图片预览
型号: WED9LAPC2C16V8BI
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内容描述: 512K ×32 SSRAM / 1M ×64 SDRAM [512K x 32 SSRAM / 1M x 64 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 935 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
512K ×32 SSRAM / 1M ×64 SDRAM
特点
时钟速度:
SSRAM : 100兆赫
SDRAM 100 MHz的
WED9LAPC2C16V8BC
外部存储器解朗讯LUCTAPC640 ATM端口控制器
描述
经过100%测试,以时序的要求
LUCTAPC640的存储器接口
包装:
该WED9LAPC2C16V8BC是3.3V , 512K ×32
同步管道SRAM和一个1M ×64同步
DRAM阵列封装在一个为21mm x 21毫米192引
BGA 。
该WED9LAPC2C16V8BC提供内存
所需的CRAM (控制存储器)和VCRAM
(虚拟连接存储器)朗讯的内存港口
LUCTAPC640 ATM端口控制器。当结合使用
与WED9LAPC2B16P8BC ,这对于提供存储器
在BRAM (缓冲存储器)和PRAM (指针存储器)
内存接口,对整个内存要求
LUCTAPC640可以使用这些2 BGA器件来满足。
该WED9LAPC2C16V8BC是100 %测试时间
该LUCTAPC640的存储器接口的要求
为商用和工业温度时间
范围。
192引脚BGA ,为21mm x 21毫米
3.3V工作电源电压
直接控制界面都和CRAM
在LUCTAPC640 VCRAM端口
62 %的空间节省与单片解决方案
降低系统的电感和电容
引脚配置
引脚CRAM和VCRAM MCM - 顶视图
1
A
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16
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SS
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V
CC
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怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
, 2000年7月
0
2000年7月修订版
启示录
#15168
ECO
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