怀特电子设计
256Kx32 SSRAM / SDRAM 4Mx32
特点
WED9LC6816V
德州仪器外部存储解决方案
TMS320C6000 DSP
描述
时钟速度：
该WED9LC6816V是3.3V ， 256K ×32同步
流水线SRAM和4Mx32同步DRAM阵列
一个256K ×32 SBSRAM和两个4Mx16构建
的SDRAM管芯安装在一个多层层叠基板。
该装置被装在一个153铅， 14毫米X 22毫米，
BGA 。
该WED9LC6816V提供了一个全面的存储解决方案
对于德州仪器TMS320C6201和
TMS320C6701 DSP的的同步管道SRAM
可与200 ， 166150 ， V和133的时钟速度
兆赫，允许用户建立一个高速外部存储器
为SSRAM接口端口。
SDRAM的是125和100的时钟速度提供
兆赫，允许用户建立一个高速外部存储器
对SDRAM的接口端口。
该WED9LC6816V可在商业和
工业温度范围。
本产品如有更改，恕不另行通知。
SSRAM ：200 ， 166150 ，和133兆赫
的SDRAM ： 125和100兆赫
DSP的存储解决方案
德州仪器TMS320C6201
德州仪器的TMS320C6701
153引脚BGA ， JEDEC MO 163
包装：
3.3V工作电源电压
直接控制界面都和SSRAM
在?? C6X SDRAM端口？
常见的地址和数据总线
65 ％的空间节省与单片解决方案
降低系统的电感和电容
图。 1引脚配置
顶视图
4
V
SS
V
SS
SDWE ＃
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
BWE
2
#
BWE
0
#
V
SS
V
SS
V
SS
SSOE ＃
引脚说明
6
V
SS
V
SS
NC
V
SS
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
V
SS
NC
NC
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
2
DQ
23
DQ
22
V
CCQ
DQ
21
DQ
20
V
CCQ
NC
NC
A
7
NC
V
CCQ
DQ
11
DQ
10
V
CCQ
DQ
9
DQ
8
3
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
NC
A
8
A
9
NC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
5
V
SS
SDCE ＃
SDA
10
V
SS
SDCK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
BWE
3
#
BWE
1
#
V
SS
SSCK
V
SS
SSCE ＃
7
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
A
2
A
1
A
0
NC
NC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
8
DQ
24
DQ
25
V
CCQ
DQ
26
DQ
27
V
CCQ
A
4
A
3
A
11
A
13
A
15
V
CCQ
DQ
4
DQ
5
V
CCQ
DQ
6
DQ
7
9
DQ
28
DQ
29
V
CCQ
DQ
30
DQ
31
V
CCQ
A
5
A
10
A
12
A
14
A
16
V
CCQ
DQ
0
DQ
1
V
CCQ
DQ
2
DQ
3
A
0-17
DQ
0-31
SSCK ＃
SSADC ＃
SSWE ＃
SSOE ＃
SDCK
SDRAS ＃
SDCAS ＃
SDWE ＃
SDA
10
BWE
0-3
#
SSCE
SDCE
V
CC
V
CCQ
V
SS
NC
地址总线
数据总线
SSRAM时钟
SSRAM地址状态控制
SSRAM写使能
SSRAM输出使能
SDRAM时钟
SDRAM的行地址选通信
SDRAM的列地址选通信
SDRAM写使能
SDRAM地址10 /自动预充电
SSRAM字节写使能SDRAM SDQM 0-3
芯片使能SSRAM设备
芯片使能SDRAM器件
电源引脚， 3.3V
数据总线电源引脚， 3.3V （ 2.5V未来）
地
无联系
DQ
19
DQ
18
V
CCQ
DQ
17
DQ
16
V
CCQ
NC
NC
A
6
A
17
NC
V
CCQ
DQ
12
DQ
13
V
CCQ
DQ
14
DQ
15
SDRAS ＃ SDCAS ＃ V
SS
NC / A
18
NC / A
19
V
CC
SSADC ＃ SSWE ＃
跟工厂订购信息。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2003年9月，
第1版
1
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WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
