欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

WED9LC6816V1610BI 参数 Datasheet PDF下载

WED9LC6816V1610BI图片预览
型号: WED9LC6816V1610BI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 256Kx32 SSRAM / SDRAM 4Mx32 [256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM]
分类和应用: 静态存储器动态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 1138 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
 浏览型号WED9LC6816V1610BI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号WED9LC6816V1610BI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号WED9LC6816V1610BI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号WED9LC6816V1610BI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号WED9LC6816V1610BI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号WED9LC6816V1610BI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号WED9LC6816V1610BI的Datasheet PDF文件第11页浏览型号WED9LC6816V1610BI的Datasheet PDF文件第12页  
怀特电子设计
SDRAM交流特性
125MHz
参数
时钟周期时间( 1)
时钟到有效输出延迟( 1,2 )
输出数据保持时间( 2 )
时钟高脉冲宽度( 3 )
时钟低脉冲宽度( 3 )
输入建立时间( 3 )
输入保持时间( 3 )
CK#输出低电平-Z ( 2 )
CK#到输出高阻
行有效至行主动延迟( 4 )
RAS #到CAS #延迟( 4 )
行预充电时间(4)
行活动时间(4)
行周期时间 - 操作( 4 )
行周期时间 - 自动刷新( 4,8)
最终数据以新列地址的延迟( 5 )
在最后的数据以行预充电( 5 )
在最后的数据以突发停止( 5 )
列地址到列地址的延迟( 6 )
的有效输出数据数( 7 )
CL = 3
CL = 2
符号
t
CC
t
CC
t
SAC
t
OH
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
SHZ
t
RRD
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RFC
t
CDL
t
RDL
t
BDL
t
CCD
20
20
20
50
70
70
1
1
1
1.5
2
1
10,000
3
3
3
2
1
2
7
20
20
20
50
80
80
1
1
1
1.5
2
2
10,000
8
10
最大
1000
1000
6
3
3
3
2
1
2
7
WED9LC6816V
(VCC = 3.3V -5 % / + 10 %,除非另有说明; 0 ℃,
Ta
70 ° C,商业; -40°C
TA 85°C ,工业)
100MHz
10
12
最大
1000
1000
7
3
3
3
2
1
2
8
24
24
24
60
90
90
1
1
1
1.5
2
1
10,000
12
15
83MHz
最大
1000
1000
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CK #
CK #
CK #
CK #
ea
注意事项:
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的(TRISE / 2 -0.5)纳秒应该被添加到该参数。
3.假设输入的上升和下降时间为1ns的。如果TRISE TFALL都大于1ns的时间更长。 [ (TRISE = TFALL )/ 2] - 1纳秒应该被添加到该参数。
4.所需的时钟周期的最小数目除以时钟周期时间需要的最短时间,然后向上舍入到下一个较高的整数detemined 。
5.最低的延迟才能完成写操作。
6.所有设备允许每个周期的列地址的变化。
7.如遇行预充电中断,自动预充电和读取突发停止。
8.新的命令,可给予吨
RFC
后自刷新退出。
跟工厂订购信息。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2003年9月,
第1版
8
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com