怀特电子设计
WEDPZ512K72V-XBX
512K X 72同步管道突发ZBL SRAM
特点
快速的时钟速度： 150 ， 133和100MHz的
快速访问时间： 3.8ns ， 4.2ns ， 5.0ns和
快速OE ＃访问时间： 3.8ns ， 4.2ns ， 5.0ns和
高性能3-1-1-1接入速率
3.3V ± 5 ％电源
I / O电源电压为3.3V或2.5V
常见的数据输入和数据输出
字节写使能和全局写控制
六个芯片使深度扩展和
地址管道
内部自定时写周期
突发控制引脚（交错或线性爆裂
序）
针对便携式应用自动断电
商用，工业和军用温度
范围
包装：
• 152 PBGA封装17× 23毫米
描述
该WEDC SyncBurst - SRAM采用高速，
正在使用的制造低功率CMOS设计
先进的CMOS工艺。 WEDC的32Mb的SyncBurst
SRAM的集成两个512K ×36 SSRAMs成一个单一的
BGA封装提供512K X 72 CON组fi guration 。所有
同步输入通过一个控制寄存器
正边沿触发的单时钟输入（CLK） 。该ZBL
或零总线延时内存利用所有带宽
在操作周期的任意组合。地址，数据
输入和输出以外的所有控制信号使能和
线性脉冲串顺序被同步至输入时钟。爆
为了控制必须捆绑“高还是低。 ”异步
输入包括所述睡眠模式启动（ ZZ） 。输出使能
控制在任意给定时刻的输出。写周期
内部自定时发起的上升沿
时钟输入。这个特性消除了复杂的片写
脉冲产生和提供增强的时序灵活性
即将到来的信号。
*产品如有更改，恕不另行通知。
功能框图
512K ×36 SSRAM
A
0-18
BWA ＃
SA
BWA ＃
BWB ＃
BWC ＃
BWD ＃
WE
0#
OE
0#
CLK
CKE ＃
CS1#
CS2#
CS2
ADV
LBO ＃
ZZ
DQPa
DQA
0-7
DQPb
DQB
0-7
DQPc
DQC
0-7
DQPd
DQD
0-7
DQPa
DQA
0-7
DQPb
DQB
0-7
DQPc
DQC
0-7
DQPd
DQD
0-7
好处
节省30 ％的空间相比，相当于
TQFP解决方案
减少了部件数量
24 ％的I / O减少
层压板插最佳匹配TCE
低廓
减少电路板布线层数
适用于喜可靠性的应用
用户CON连接可配置为1M ×36或2M ×18
升级到1M X 72 （联系工厂的可用性）
BWB ＃
BWC ＃
BWD ＃
WE
0#
OE
0#
CLK
0
CKE
0#
CS1
0#
CS2
0#
CS2
0
ADV
0
LBO ＃
ZZ
512K ×36 SSRAM
SA
BWE ＃
世界羽联＃
BWG ＃
BWH ＃
WE1#
OE1#
CLK1#
CKE1#
CS1
1
#
CS2
1
#
CS2
1
ADV1
BWA ＃
BWB ＃
BWC ＃
BWD ＃
WEO ＃
OEO ＃
CLK
CKE
CS1#
CS2#
CS2
ADV
LBO ＃
ZZ
DQPa
DQA
0-7
DQPb
DQB
0-7
DQPc
DQC
0-7
DQPH
DQD
0-7
DQPE
DQE
0-7
DQPF
DQF
0-7
DQPG
DQG
0-7
DQPH
DQH
0-7
2006年2月
启示录7
1
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