怀特电子设计
V
CC
= 3.3V, V
SS
= 0V , -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间( 1 )
扇区擦除
阅读恢复时间写前( 3 )
VCC建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间( 2 )
在t 1,典型值
WHWH1
是为9μs。
2.切换和数据查询。
3.设计保证,但未经测试。
WF1M32B-XXX3
交流特性 - 写/擦除/编程操作 - WE#控制
符号
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
民
100
0
50
0
50
0
50
30
-100
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
30
-120
最大
民
150
0
65
0
65
0
65
35
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
美国证券交易委员会
µs
µs
美国证券交易委员会
ns
ns
单位
300
15
0
50
50
t
OES
t
OEH
0
10
0
10
0
50
300
15
0
50
50
0
10
300
15
50
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 3.3V, V
SS
= 0V , -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择高到输出高Z( 1 )
输出使能高到输出高Z( 1 )
从地址输出保持, CS #或OE #
变化,无论是科幻RST
1.由设计保证,未经测试。
符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
民
100
-100
最大
100
100
40
30
30
0
0
民
120
-120
最大
120
120
50
30
30
0
民
150
-150
最大
150
150
55
40
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2006年3月
启5
5
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